DRAM单价创高　但市况价格恐快速反转向下
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出版时间：2018/10/04 08:35
DRAM单价创高，但市况价格恐快速反转向下。资料照
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IC Insights出具最新报告，预警内存DRAM 市场动能将放缓，
虽然8月平均单价答6.79美元，较前年前有165%的增幅，今年以来价格也持稳上扬，
但以去年对比，增幅已降至35%，依据历史经验和韩厂产能推迟，
单价和市场需求恐将快速反转向下，厂商资本支出将需调整。
DRAM产业被视为景气循环代表，经过2年强势成长，从过去10年综合指标来预估，
在新产能加入，去年DRAM资本支出年增81%达163亿美元，今年也有年增40%2的幅度，
将上看229亿美元，随新产能到位后，价格将快速走跌。
不过，IC Insights分析，这次DRAM厂重要的资本支出用在低于20奈米节点的支出，
相较于过去较为减少。
因为低于20纳米的节点需要更多资金和设备投入，因此，近年的资本支出大增，
却不会造成产能过剩。
IC Insights预估，今年DRAM平均单价将年增38%，上看6.65美元，是2009年以来的新高，
但从三星和海力士第3季释出鉴于客户需求走缓，将延迟部分产能扩增规划，
不难推测DRAM市场恐将降温。
此外，值得注意的外卡球就是中国厂商，中国厂商在未来5年的动态需要留意，
因为中国市场已占DRAM市场40%、快闪存储器35%的占比。
（陈俐妏／台北报导）