三星宣布量产 90 层堆叠的第 5 代 V-NAND 快闪存储器
https://finance.technews.tw/2018/07/11/samsung-v-nand-with-over-90-layers/
作者 Atkinson | 发布日期 2018 年 07 月 11 日 10:30
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全球内存龙头厂三星 10 日宣布，
正式量产堆叠数高达 90 层的第 5 代 V-NAND 快闪存储器。
该项产品不但堆叠数为当前最高者，而且还首发 Toggle DDR 4.0 传输接口，
使得传输速率达到了 1.4Gbps。
三星的 V-NAND 是 3D NAND 快闪存储器中的一种。
目前市场中的主力，还是堆叠数 64 层的第 4 代 V-NAND 快闪存储器。
如今，三星宣布正式量产的是第 5 代 V-NAND 快闪存储器，
其核心容量 256Gb 并不算高，但是各项性能指标缺不能小觑。
其中，它是业界首发支援 Toggle DDR 4.0 传输接口的 V-NAND 快闪存储器，
传送速率达到了 1.4Gbps，
相较过去 64 层堆叠的 V-NAND 快闪存储器来说，足足提升了 40%。
而除了采用新的传输接口以提升速率之外，
第 5 代 V-NAND 快闪存储器的性能、功耗也进一步优化。
其工作电压从 1.8V 降至 1.2V，同时写入速度也是目前最快的 500us，
这个速度也是比上一代 V-NAND 快闪存储器提升了 30%。
至于，在读取速率上的回应时间也缩短到了 50us。
据了解，三星的第 5 代 V-NAND 快闪存储器，内部堆叠了超过 90 层 CTF Cell 单元，
是目前市面上堆叠层数最高的 3D NAND TLC 架构快闪存储器。
这些存储单元通过微管道孔洞连接，每个孔洞只有几百奈米宽，
总计包含超过 850 亿个 CTF单元，每个单元可以存储 3 位元资料。
此外，第 5 代 V-NAND 快闪存储器在制程技术上也做了改进，
制造生产效率提升了 30%。
而借由先进的制程技术，使得每个快闪存储器单元的高度降低了 20%，
减少了单位之间干扰的发生率，提高了资料处理的效率。
三星目前正在加强第 5 代 V-NAND 快闪存储器的量产，以便满足高密度存储领域，
包括高效能运算、企业服务器、及行动装置市场的需求。
而除了第 5 代 V-NAND 快闪存储器的量产之外，
三星目前也还在扩展 V-NAND 快闪存储器，
准备推出核心容量高达 1Tb 的 NAND 快闪存储器，及 QLC 架构的快闪存储器产品，
继续推动下一代快闪存储器发展。
（首图来源：三星 官网）