三星宣布5nm、4nm、3nm制程！采用全新电晶体管架构
这两年，三星电子、台积电在半导体制程上一路狂奔，虽然有技术之争但把曾经的领导者
Intel远远甩在身后已经是不争的事实。
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在美国举行的三星制程论坛SFF 2018 USA之上，三星更是宣布将连续进军5nm、4nm、3nm
制程，直逼物理极限！三星宣布5nm、4nm、3nm工艺！ 高性能低功耗兼顾
7LPP (7nm Low Power Plus)
三星将在7LPP制程上首次应用EUV极紫外光刻技术，预计今年下半年投产。关键IP正在研
发中，明年上半年完成。
5LPE (5nm Low Power Early)
在7LPP制程的基础上继续创新改进，可进一步缩小芯片核心面积，带来超低功耗。
4LPE/LPP (4nm Low Power Early/Plus)
最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET立体电晶体管技术，结合此前5LPE制程的成熟
技术，芯片面积更小，性能更高，可以快速达到高良率量产，也方便客户升级。
3GAAE/GAAP (3nm Gate-All-Around Early/Plus)
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Gate-All-Around就是环绕栅极，相比于现在的FinFET Tri-Gate三栅极设计，将重新设计
电晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。三
星的GAA技术叫做MBCFET (Multi-Bridge-Channel FET)。
大家可能以为三星的制程主要用来生产行动处理器等低功耗设备，但其实在高性能领域，
三星也准备了杀手?，大规模数据中心、AI人工智能、ML机器学习，7LPP和后续制程都能
提供服务，并有一整套平台解决方案。
譬如高速的100Gbps+ SerDes(串行转换解串器)，三星就设计了2.5D/3D异构封装技术。而
针对5G、车联网领域的低功耗微控制器(MCU)、下代联网设备，三星也将提供全套完整的
平台方案，从28/18nm eMRA/RF到10/8nm FinFET任君选择。
https://goo.gl/HRHDky
i皇：先蹲下，才能跳得更高