[情报] Intel 10nm工艺会引入新材料“钴”，电迁 Quentin5566 PTT批踢踢实业坊

[情报] Intel 10nm工艺会引入新材料“钴”，电迁

楼主: Quentin5566 (困丁轰) 2017-12-12 15:00:35

标题：Intel 10nm工艺会引入新材料“钴”，电迁移性能可提升1000倍
来源：http://www.expreview.com/58161.html
内文：https://i.imgur.com/64PHGwx.jpg
看来这应该是intel真正的大绝招
不过还是希望下一代不要开盖就能稳稳的超
8代的导热问题好像比以前更明显该是时候换材料了...

作者: sunandrew321 (sunandrew321) 2017-12-12 17:39:00

简单来说就电跑更快啦

作者: steven800308 (旅神Traveler) 2017-12-12 18:56:00

普通钴没放射性

作者: mailforclass (失意体前屈) 2017-12-12 19:26:00

EM好，可靠度好，细线宽的不容易用久了开路。Mobility好，元件开关速度快，效能变好

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