有‘业内’的版友说我根本不懂这些nand flash、dram互斥不互斥问题，甚至要我进业内
再说，
说真的，就算都业内的还是会分国内国外，而这国内的厂跟国外的厂，上下游定位也不同
。
我言尽于此，还要追究对错的‘业内版友’可以自己去找人家三星、美光、海力士的生产
资料，反正内部公司资料比外界清楚，主管职拿到的资料会更多，我就不再提了。
这么有争议，那我这篇只提dram，不提其它。
※ 引述《Ekmund (是一只小叔)》之铭言：
: 原标题：
: 三星 美光 1x 奈米制程 DRAM 接连出状况，市场供货吃紧仍没改善
: 内文：
: 自 2016 年中开始，DRAM 内存供货不足，造成市场价格全面上涨的情况，如今又要
多
: 加一个变量。那就是 DRAM 内存的市场龙头三星，在 2017 年 2 月中旬陆续召回部
分
: 序号的 18 奈米制程的内存模组，并且再重新出货给客户之后，仍然发生有瑕疵的状
况
: 。而且，此事件已影响了名列前茅的 PC 大厂在 DPPM (每百万台的不良率) 有大幅提
升
: 的状况。再加上，不仅是三星出现这样的情况，连美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC
: DRAM 内存模组都有类似的情形发生，如此也为 2017 年 DRAM 市场的供货状况与价
格
: 变化再投下不确定因素。
: 根据科技新报从供应链所掌握的消息，市场原本预计，在进入 2017 年第 2 季之后，
因
: 为有三星 18 奈米的 PC DRAM 内存模组与美光 17 奈米的 PC DRAM 内存模组相继
出
: 货，供货吃紧的状况应该可以得到缓解。不料，三星继上次召回有瑕疵的 18 奈米制程
的
: PC DRAM 内存模组之后，近期再次出货的情况仍旧没有改善，还因而造成 PC大厂在
: DPPM ( 每百万台的不良率) 有大幅提升的状况。而除了三星之外，美光的 17 奈米制
程
: PC DRAM 内存模组也碰上相类似的情况。甚至以目前出货给客户的样本来看，良率
还
: 低于 50% 以下。
: 据了解，由于美光原本答应在 2017 年第 2 季给客户的 PC DRAM 内存模组中，会包
含
: 部分的 17 奈米制程产品。如今，在 17 奈米制程的 PC DRAM 内存模组良率有问题
的
: 情况下，美光又无法再回头提供 20 奈米制程的产品给客户，这也使得美光陷入两难的
状
: 态。
: 美光在 PC DRAM 内存模组上分为两个系列，Rexchip 系列的产品，目前制程已经由
: 25 奈米制程推进到17奈米，而 Inotera 系列则仍旧停留在 20 奈米的制程上。而目
前
: 美光的 Rexchip 系列 17 奈米制程产品，在设计与制程上都与前一代的 25 奈米制程
产
: 品有很大的差异。因此，良率不高一直是在美光预期中的结果。只是，美光预估，一旦
: Rexchip 系列 17 奈米制程产品可以达到 50% 以上的良率，则从晶圆切下来的裸晶晶
粒
: 数量就已经能够达到平衡成本的需求。因此，当时美光才会坚持生产 17 奈米制程产品
。
: 不料，如今连 50% 的良率都不容易达到。
: 而美光为了解决这样的问题，则预计在 Rexchip 系列 17 奈米制程产品再重新设计一
版
: 新的产品。而此版本的产品，原本预计在 2017 年第 4 季底才会出货，而美光则是将
时
: 程提早于第 3 季底。不过，即便如此，2017 年自第 2 季开始陆续两季的 PC DRAM 记
忆
: 体模组供货吃紧的情况仍将难以改善，价格也将持续的不断攀升。
: 供应链知情人士指出，近期不论是三星或美光在 PC DRAM 内存模组发生的状况，除
了
: 显示出市场持续供货吃紧的情况之外，也表示 DRAM 制程在进化至 20 奈米以下之际，
连
: 过去制程转换都一直非常顺畅的三星，也同样会出现问题的情况下，显见制程转换真有
其
: 难度。至于，目前 PC DRAM 内存模组三大厂中，仅有 SK 海力士还没有转换制程至
: 20 奈米以下的制程。虽然，看似在时程上较竞争对手落后，但实际来说却是现阶段市
场
: 上最获利的公司。
: 至于，就当前 DRAM 内存的价格变化，因为近期有价格下滑的情况，也开始引起市场
人
: 士的关注，担心是否为 DRAM 变化的开始。市场人士表示，在市场供货吃紧的情况下，
: DRAM 价格未来一到两季仍呈现上扬的局面。而近期会出现下滑的情况，主要是在现货
价
: 的部分，因为过去的一番涨幅，使得现货价已经超越合约价，近期势必有所调涨整之外
，
: 因为 DDR3 的供应随着系统转换到 DDR4 的规格上，使得 DDR3 的价格有出现下滑的情
况
: 。不过，绝大多数的 DDR4 价格依旧不断看涨。
http://goo.gl/SuKuUh
IC Insights指出，今年DRAM位元出货量实际比去年少，NAND Flash出货量也仅小幅成长2
%，DRAM和NAND Flash价格自去年下半年起涨，截至今年第2季止，DRAM售价每季平均上涨
16.8%，NAND Flash售价每季则上涨11.6%；预今年DRAM全年涨幅可达64%，NAND Flash全
年涨幅也达33%。在产品售价劲扬下，今年DRAM与NAND Flash产值可望同步大幅攀高。
集邦则强调，今年DRAM需求端，尤其是智慧型手机领域，需求并没有特别强劲，但供货吃
紧主要是DRAM产业持续制程转进不易，造成的供货紧缩，使平均销售单价居高不下；短期
内因未见新增产能的前提下，预计DRAM供货吃紧状态将延续至明年。
如果有人要嘴集邦不专业的，那我也没辙。
这篇资料版友也可以看，
http://goo.gl/mz45RM
DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能，加上进入3D NAND时代，NAND及D
RAM产能难以互相转换，预估DRAM今年位元年成长率20%~25%，NAND则高于45%。
说单纯是数据中心需求大所以涨了也全然不对，这篇有讲原因版友可以自行点开当作补充
：
https://goo.gl/bqaKzw
三家只有一家要扩厂，为什么？
因为要提升良率。
这是良率报表，可以看出端倪：
更正，这是asp报表，下面我再补充
https://i.imgur.com/iBwwqN2.jpg
为什么两件产品的ASP都往下掉，却在市场上反而喊涨？
我认为是有需求量因素在，以及良率的因素在，实际上3d namd良率较低反而因为扩厂，
维持了一定的生产量.....
当然，上面是推论的，
理性而言，因为扩厂而产能上升，nand flash的asp下降。
（我言尽于此，若版友还要争的还是请海涵）
简单说，保守估计Dram会涨到明年，在新的厂商量产前大概都会这样，各版友可自行斟酌
购买时机。
题外话：
nand flash跟dram这两个是同级产品，我真的再也懒得争里面有没有互斥的关系了，来这
边也不是来争论谁对的，拿自己认知上的一面之词争对错是不好的，既然有版友认为要分
开看，那我就不再多做解释，也给彼此一个空间，只要是正确的，答案随着时间自然会出
来。