最近市场上电源有几个常见术语及结构，这篇文章在下提供简单的解释
1.双DC-DC
DC-DC电路的全名是直流转直流电源电路，以往在主机板/显示卡上最为常见(转换CPU/GPU
的核心电压、内存及周边电路零件所需电压等)，另一个比较常听到的是VRM(Voltage
Regulator Module电压调节模组)，主要是进行不同电压的转换，在电源中使用的DC-DC就
是将12V转换成3.3V、5V、-12V等电压，因为DC-DC电路多采交换式(Switching)结构，比
起传统电源采用的磁放大(Magnetic Amplifier)电路有更高的效率，另外经12V转换出
3.3V/5V，彼此输出电流不平均下的影响可以降到最低，对于现今使用12V为主的电脑系统
，可避免因为3.3V/5V负载量影响12V的输出，所以目前比较好的电源，尤其是高效率机种
，都会采用双DC-DC甚至三DC-DC的架构
2.交叉调整率Cross-Regulation
Cross-Regulation又被称作交叉调整率，因为电脑用电源供应器属于多输出电源，同时输
出3.3V/5V/12V/-12V，传统电源上，只要3.3V/5V/12V其中一组输出的电流发生变动，其
他组的输出电压就会受到影响。以目前电脑系统配置来说，CPU/GPU主要用电都集中在12V
上，3.3V/5V消耗量已不如以往，采单主变压器并使用单组磁放大电路稳定3.3V的传统电
源在12V负载加重时，电源供应器为了避免3.3V/5V电压受到影响(超压)，此时12V电压会
被”牵制住”而产生压降。为了解决这种问题，电源开始采用双磁放大电路，也就是同时
使用磁放大电路稳定3.3V/5V，不过单磁放大与双磁放大都会因为电压调整范围不够，而
无法同时满足电源输出轻载与重载下的条件，尤其Intel在Haswell平台开始，要求在节能
模式下12V必须要能输出最低0.05A电流的要求，对于传统单磁/双磁放大的电源，12V轻载
下的3.3V/5V输出也会受到其影响，当时为了这个问题，部分高瓦数电源采用3.3V/5V一组
功率级、12V一组功率级的设计，不过因为体积占用过大，后续就由双DC-DC电路去取代，
以目前电源来说，采用双DC-DC是目前改善交叉调整率的一个主要方法
3.无桥式APFC
80PLUS认证中的钛金(Titanium)认证，115V输入下其输出百分比及转换效率要求分别为
10%输出90%效率、20%输出92%效率、50%输出94%效率、100%输出90%效率，除了
20%/50%/100%输出下的转换效率必须要提升外，还多要求一个10%下的轻载转换效率，大
部分高效率电源在轻载时会采用调降APFC电压、进入跳周期模式(Skipped Mode)来降低功
耗，但是为了改善整体转换效率，钛金高效率电源开始采用Bridgeless APFC(无桥式主动
功因修正)，顾名思义就是把APFC电路中，用来处理所有交流转直流电源功率的桥式整流
器，使用原本APFC终就会使用的高速MOSFET及碳化硅萧特基(SiC Schottky)高压二极管来
取代，因为MOSFET有低导通阻抗的特性，比起传统桥式整流器存在1.4V(全波整流下每周
期会经过两颗二极管0.7V*2)的顺向偏压损失，要有更低的功率消耗，整体APFC电路可因
此减少5~8%的效率损失。依照结构，有分为Bridgeless(无桥)、Dual-Boost(双升压)、
Semi-Bridgeless(半无桥)、PSSB(Phase-Shift Semi-Bridgeless移相半无桥)、
Totem-Pole Bridgeless(图腾柱无桥)
4.谐振转换器Resonant Converter
电源中转换器(Converter)的主要功用就是负责将APFC输出的高压直流转换成低压直流12V
，也常被称功率级(Power Stage)，相较于传统电源使用的PWM(脉宽调变)转换器，80PLUS
金牌/白金牌效率电源大多采用谐振转换器(Resonant Converter)，透过谐振电感与谐振
电容组合的谐振槽(Resonant Tank)，以频率调变(FM)方式来控制输出的功率。电脑电源
中最常见的是LLC谐振槽电路，经由谐振槽的激磁电流，能让一次侧MOSFET寄生电容能量
消除，使其运作在ZVS(零电压切换)区间，可让MOSFET降低开关应力，部分厂商在LLC谐振
电路上也有一些改良款，使其有更宽的最佳转换效率区间及更小的频率调变区间，让电源
有更好的效能。电脑用电源设计上常见的有HB LLC(半桥式LLC)、FB LLC(全桥式LLC)，半
桥式使用的MOSFET数量为全桥式的一半，其驱动电路也比较简单，不过在大功率电源上，
仍以全桥电路设计采用较多
5.同步整流Synchronous Rectifier
主功率级经过变压器转换后，二次侧需要经过整流才会从高频交流变成直流电，传统电源
使用萧特基障壁二极管(Schottky Barrier Diode，SBD)来进行整流，因为其带有
0.3~0.5V的顺向偏压损失，虽比起硅二极管的0.7V要低，但仍会造成损失，随着输出电流
增加，其损失的功率也就越高(损失功率=顺向偏压X流过电流)，即使并联多颗SBD，也只
是降低每一颗所负担的功率损失，避免单颗集中过高功耗导致过热烧毁，整体功率损失仍
不会改变。而MOSFET传输损耗是由其RDS(ON)乘上平方电流来决定，所以采用更低RDS(ON)
的MOSFET，可降低其传输损耗，若是并联更多的MOSFET，电流分配到多颗MOSFET上时，产
生的传输损耗会更小。例如分担到两颗MOSFET，每个元件损耗可以减少1/4(1/2平方为
1/4)，整体损耗就可下降一半，所以在高效率电源上，二次侧大量采用同步整流，大功率
电源还会并联多颗MOSFET，以降低二次侧所产生的损耗，也可降低产生的热量及提高转换
效率。同步整流中另一个主角是同步整流控制器(SR Controller)，须具备高切换频率、
大电流MOSFET驱动能力，也需要保护电路，避免高端(High-side)与低端(Low-side)的同
步整流MOSFET被同时启动导致短路造成损坏
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