在 Micron 2017 年度的分析师会议上，这家公司给出一些方向与目标。
没有任何新产品公布，但 2017 年 Micron 这家公司的产品规划可能有了一些大致方向
同时也包含下一代 GPU 用内存的规划。
2016 年，Micron 与 Intel 的合资企业成为第二家供应 3D NAND Flash 的公司
当时 32 层的第一代 3D NAND Flash 已经在不少产品上导入
现在开始进入 64 层 3D NAND Flash。然而，现阶段 64 层 3D NAND Flash 仍处在
Sampling 阶段，预计要到 2017 年才会进入大量生产阶段。
512Gb 的 64 层 3D TLC NAND Flash 是 Micron 的重点之一，但 Micron 也会提供
256Gb 的 3D TLC NAND Flash。
有趣的是，256Gb TLC NAND Flash 的尺寸为 59mm2 ，或是 4.3 Gb/mm2 ；
相较于其他竞争品牌的 64 层 3D NAND Flash，面积要小了 25% 左右。
此外，Micron 也在 QLC NAND Flash 部分有所投入，但他们并没有对此揭露太多资讯。
内存部分，主要是 GPU 用的 GDDR6 以及制程的推进。
Micron 预期会在 2017 年开始使用 16nm（1Xnm）生产 GDDR5 内存，但确切时间不详
另外 1Ynm 与 1Znm 的制程也在进行中，其中 1Ynm 会率先导入，时间点在 2017 下半年
对于 Samsung Electronics 和 SK Hynix 在 HBM 内存的布局，Micron 似乎没有任何
回应
但这家公司在 GDDR5X 与 GDDR6 有着相当深的投入。
预计我们可以在 2017 年底或是 2018 年初见到 Micron 在 GDDR6 领域的讯息。
3D XPoint 部分也相当低调，没有任何新资讯或是产品揭露。
来源：
https://goo.gl/UC58b5
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