SK Hynix 从 2015 年底开始使用 21nm 制程生产 DRAM，而目前这个制程已经在主流产品
行动装置用产品以及特规的 DRAM 上导入。
不过，这家韩系品牌将会在 2017 年量产 10nm class 制程的 DRAM。
一般相信，SK Hynix 的 10nm class 泛指 18nm 制程。
目前内存价格持续攀升，对于内存颗粒厂来说，是一件相当好的事情
面对这样的情况，SK Hynix 并没有增产计画，并对 2017 年内存相关支出采取保守的
态度
其他品牌或许也如此，这也意味着在 2017 年的内存价格将持续攀高
然而这产业就如同期货般，没人说得准。
NAND Flash 也是另一个需求持续提升的产品。
SK Hynix 目前已经生产 48 层的 3D NAND Flash（3D-V3），而进入 2017 年
我们可以见到 SK Hynix 进入 72 层的 3D TLC NAND Flash（3D-V4）。同时
也可以确认 SK Hynix 将会在 2017 第二季度量产 256Gb 的 3D TLC NAND Flash。
另外，SK Hynix 也计画在 2017 年底推进至 512Gb（64GB）的 3D TLC NAND Flash。
相较于内存的保守，SK Hynix 在 NAND Flash 则是投入不少资源。
SK Hynix 在 M14 厂房的第二层将开始量产 NAND Flash，但什么产品会在这里进行
官方并没有给予明确答案。不过， 一切顺利的话，SK Hynix 整体产能将会伴随着 M14
厂商而获得显著改善。此外，SK Hynix 预计耗资 7.9 亿美元以及 2 年时间来扩充无锡
C2
厂房的无尘室（无锡 C2 产房主要生产 DRAM）。虽然这有助于提升 SK Hynix 内存颗
粒产能，
整体工程需要到 2019 年才会完成，因此… 可别期待价格会有任何降幅。
来源：
https://goo.gl/avwFU6
神人又要爆气了 TLC 大时代的巨轮滚动中
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