SK Hynix将量产全球堆叠层数最多的3D NAND快闪存储器:72层
除工厂升级之外,SK Hynix还将推出新一代3D NAND快闪存储器,堆叠层数将从目前的36
、48层提升到72层,一举超过三星、美光及东芝新一代64层堆叠3D快闪存储器,预计在明
年下半年正式量产。
2016年上半年各NAND厂商代表性的3D快闪存储器规格及堆叠层数
三星发展3D NAND快闪存储器最早,目前已经推出了三代V-NAND快闪存储器,最高堆叠层
数是48层,下一代3D快闪存储器是64层堆叠,今年底开始量产。东芝/西数则是BiCS类型
的3D快闪存储器,堆叠层数是48层,下一代也是64层堆叠,美光/Intel的3D快闪存储器进
度最晚,堆叠层数也是32层,下一代则会提升到64层堆叠,美光在新加波的10X晶圆厂年
底将会量产64层堆叠快闪存储器。
SK hynix的3D快闪存储器发展了两代了,32层堆叠的算是实验性的,今年11月份正式量产
48层堆叠的3D快闪存储器。不过根据韩联社的消息,SK Hynix的下一代3D快闪存储器也在
路上了,2017年上半年完成芯片设计,2017年下半年正式量产,生产厂就是去年才建成的
利川市M14晶圆厂。
从层数上来看,SK Hynix如果明年真的能顺利量产72层3D快闪存储器,那么他们的堆叠能
力就超过了其他三家,后者明年的3D快闪存储器还是64层堆叠的,不过三星此前已经提到
了96层堆叠的3D快闪存储器,早已在研发中,只是尚未有确定的量产时间表。
资料来源:http://www.expreview.com/51555.html
XF编译:http://www.xfastest.com/thread-181370-1-1.html
尚未确定量产时间 吊我胃口真不应该
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