台积电 领先布局5奈米、3奈米
2016年12月07日 04:10 涂志豪／台北报导
台积电 领先布局5奈米、3奈米
台积电10奈米以下先进制程投资计画
虽然摩尔定律（Moore’s Law）能否持续推进，产业界众说纷云，但晶圆代
工龙头台积电靠着技术上的创新，可望让先进制程依循摩尔定律，持续推进
到5奈米及3奈米世代。为此，台积电将以南科园区为据点，投入5,000亿元
资金，建立支援5奈米及3奈米的庞大产能。
科技部长杨弘敦昨（6）日抢先发布台积电将投入5,000亿元，建立5奈米及3
奈米庞大产能的投资规画。台积电对此表示，与科技部有针对后续扩产计画
进行沟通，包括讨论到建地及水电供应等问题，但5奈米及3奈米仍在规划
中，尚无法说明及评论相关细节。
半导体先进制程竞争激烈，台积电目前面临的不仅是韩国三星电子的庞大抢
单压力，台积电大客户之一的处理器大厂英特尔，也持续透露对晶圆代工市
场抱持兴趣的看法。因此，台积电要在晶圆代工市场维持龙头大厂地位，除
了要拥有庞大的产能因应不同客户需求外，在先进制程的推进上亦要领先竞
争同业才行。
台积电第4季开始量产新一代10奈米鳍式场效电晶体（FinFET）制程，首座
支援10奈米产能的中科12吋厂Fab 15第5期工程，已正式进入量产阶段，而
第6期工程将在明年上半年进入量产，第7期工程则会在明年下半年放量投
片。
台积电将10奈米及7奈米视为同一制程世代，有9成以上的设备可以共通互
用，所以，Fab 15的第5期至第7期等3座晶圆厂，都可支援10奈米及7奈米制
程。台积电现已替联发科、苹果、海思等大客户代工10奈米手机芯片或应用
处理器；至于7奈米的量产时间点将落在2017年底、2018年初，包括可程式
逻辑闸阵列（FPGA）大厂赛灵思（Xilinx）、绘图芯片大厂辉达（NVIDIA）
等，已决定采用台积电7奈米生产新一代芯片。
台积电预期7奈米量产的2年后，也就是2020年就可顺利进入5奈米世代，并
已开始进行5奈米制程的研发。除了在材料上可能有所改变，FinFET结构也
可能变更，5奈米将是台积电首度将极紫外光（EUV）微影技术导入量产的主
要制程节点。因此，台积电将在南科园区Fab 14第8期至第10期，规划建立5
奈米制程庞大产能，全部完工后月产能可望上看10万片规模。
在5奈米之后的3奈米，若依摩尔定律进行，将在2022年后进入量产阶段，而
台积电将在南科持续扩建Fab 15新厂第11期及第12期工程，业界认为，台积
电3奈米应该会以EUV微影技术为主力的先进制程节点，不仅成本可望大幅降
低，还能提供更好的功耗。
http://www.chinatimes.com/newspapers/20161207000050-260202
十万青年十万肝，____________
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