http://www.ithome.com/html/it/251828.htm
在上周intel召开的年度开发者资讯技术峰会IDF 2016上，芯片巨头intel披露了不少关于
当前和未来制程技术的资讯，这些东西此前intel一直很少提及，或者尽可能少得透
露。 那么，本次大会究竟intel提到了那些细节呢？
第二代14nm制程
intel最谈论的话题是基于目前制造技术的“衍生科技（Derivative Technologies）”。
所谓衍生技术，按照intel的解释就是“性能得以提高，以及功能扩展变得越来越普遍”
的技术。 为此，intel发布了第一个基于衍生技术而来的技术：“14 +”，还可以称之为
“14nm+”或第二代14nm技术。
intel表示，该“衍生”技术在电晶体和金属叠层增强的情况下，可以让处理器起码得到
12%左右的性能提升。
很显然，更完善的第二代14nm制程将率先运用到intel即将推出的Kaby Lake微架构第七代
Core处理器上。 如果不出意外的话，2017年发布的14nm服务器处理器，也将基于“14nm+
”制程打造。
http://i.imgur.com/4Ki9HX9.jpg
10nm制程同样分三波产品
intel称，未来发布的10nm制程，也将根据衍生科技分反复运算更新三次，分别为：
“10”、“10+”和“10++”，支援多种最为领先的产品。
这就意味着，2017年下半年发布的10nm技术产品只是第一代，随后还有延续两代，主要伴
随着芯片底层架构的改进以及相关制程的改进，而迎来适当的性能增强。
intel声称注重密度优势而非赶工
intel谈到了很多有关想制造技术的竞争优秀，特别是芯片单位密集的电晶体密度。 在
intel看来，在一个固定的芯片面积上，能够塞进更多的电晶体，则意味着拥有更多的特
性和功能，而不是一味的追求新一代制程。
有意思的是，intel还讽刺了半导体行业的竞争对手台积电和三星，指出电晶体栅极与栅
极之间的间距指标不如自家，特别是即将推出的10nm制造技术上密度差距很大，相反
intel则遥遥领先，电晶体鳞片间距做得最为紧密，而且鳞片更高、更薄，更易于提高电
晶体的驱动电流和性能。
http://i.imgur.com/HbSSp29.jpg
需要注意的是，intel的10nm要等到2017年年底，而竞争对手则在今年年底和明年年初。
也就是说，intel的新制程比竞争对手晚了超过至少半年左右的时间。 虽然没有人否认电
晶体密度指标越出色越好，但intel不得不面对的事实在于，2018年上半年台积电就能过
渡到7nm制程。 我们不清楚，更晚是否意味着某种竞争的劣势。
当然，尽管台积电声称，其7nm技术将会在性能和芯片面积方面优于10nm，但未提到指定
面积下的电晶体数量，所以是否缩小了与intel 10nm技术的差距目前还不清楚。 目前可
以确定的是，intel的“10”、“10+”和“10++”绝对不会电晶体性能上妥协。
无论如何，intel还是那个intel，有实力让任何质疑intel在电晶体性能优势竞争中落后
的人都闭嘴，当台积电和三星的制程仍只能用于打造移动芯片的时候，intel的就已
经实现了多样化发展，可以在各个市场叱吒风云，无论是熟悉的服务器市场，还是传统PC
行业，乃至未来的物联网设备，intel似乎做了最充分的准备。