内存血战才揭开序幕？三星库存塞爆、创同季历史新高
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2016/05/18 16:45
MoneyDJ新闻 2016-05-18 16:45:42 记者 陈苓 报导
先前外资痛批三星电子不顾同行道义，在内存业赶尽杀绝。
如今背后原因似乎揭晓，韩媒指出，
今年第一季三星电子和SK海力士(SK Hynix)的半导体库存双双创下新高，
满坑满谷的内存卖不动，三星或许因此杀红了眼。
BusinessKorea 18日报导，今年Q1季末，三星电子的半导体库存达7.4兆韩圜，
写下同季历史新高。
SK海力士的半导体库存为2.2兆韩圜，更创下该公司史上之最。
一般而言，企业都赶在新年之前尽量消化库存，Q4应是出货旺季，
不料内存买气从去年开始急冻，去年Q4库存增加速度之快，几乎前所未见。
三星半导体库存连年提高，近来更急速成长。
2012年半导体库存约为4兆韩圜，去年增至6~7兆韩圜，今年Q1更超越7兆韩圜。
和去年同期相比，今年Q1库存飙升了1.7兆韩圜。
主要原因应是内存买气骤减，Q1三星内存部门营收年减3,700亿韩圜。
与此同时，去年SK海力士的库存大都在1.5兆韩圜以下，
不料去年年底突然暴增至1.9兆韩圜，今年Q1又一举突破2兆韩圜。
SK海力士的库存资产占总资产比重一路攀升，2014年来从5.6%、升至6.5%、再增至7.4%。
库存爆满，问题是内存前景欠佳，需求仍淡，业者可能会启动更激烈的杀价战，
出清库存。
Business Korea 11日报导，三星电子预估的Q2 DRAM位元出货量料将成长至少10%，
而SK海力士、美光(Micron Technology)也分别估计Q2出货量将成长15%和至少20%。
KTB Investment & Securities分析师Jin Sung-hye表示，出货成长预估这么高，
意味着DRAM大厂都想在Q2减少库存，芯片价格也将因供给增加面临压力。
Bernstein Research先前就悲观预测，
三星趁著对手SK海力士、美光转进20奈米不顺之际，增产抢市占，意图赶尽杀绝，
DRAM恐怕只剩三星一家独活。
巴伦(Barronˋs)4月网站两篇报导指出，Bernstein分析师Mark Newman表示，
制程微缩难度高，美光和SK海力士都在20奈米遇到瓶颈，
原先预期内存产出将因此大减，没想到三星在一旁虎视眈眈，趁著对手碰壁时，
夺取市占。
DRAM仅剩三大厂，通常产业整合后，大家会较为节制，结果三星非但没松手，
还想把DRAM市占从当前的40%、提高至近50%。
Newman痛批，三星行为投机、比预想更为激烈，完全不顾对手，
或许会永久摧毁同业间的信任感。
他估计，三星可能是DRAM业的唯一幸存者。
内存业悽惨，又有新技术出来抢市场，前景更为黯淡。
Phone Arena、Engadget 17日报导，
“相变化内存”(Phase-Change Memory，简称PCM)因成本太高，
智慧机等行动装置无法采纳，过去15年来一直应用在光盘片等科技产品。
然而，IBM现在不但降低了成本，还想出新的方法，
可在每个记忆单位(cell)中储存3位元资讯、即使周遭温度较高也毫无障碍，
未来可能会让内存领域出现巨变。
IBM Research 17日在巴黎举办的
IEEE国际内存研讨会(International Memory Workshop)上表示，
新开发的技术可降低PCM成本，价格不但能与快闪存储器竞争，还会比DRAM更便宜。