http://www.coolaler.com/content.php/6427
更详细的英文原文(+一些额外消息,如对3D XPoint的看法和3D PCM的可能性)
http://tinyurl.com/zdkq22z
今天看到的,觉得蛮有趣der所以就贴上来
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简单来说PCM(相变化内存)也是可能取代NAND Flash的明日之星(之一)
而且PCM的擦写次数至少有10000000次
2008年
Intel和意法半导体发布了可储存两个电位(MLC型)的PCM
2016年近期
IBM发布了可储存三个电位(TLC型)的PCM
原型的制程则是CMOS 90nm
不过PCM从60年代就在开发(Intel在1970年有发布256bit的PCM)
到现在也还没商业化
(而且储存密度小也是其中一个重点,所以IBM做出TLC型PCM确实是一个重大突破)
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继续偷渡TR150寿命测试(?)
http://bbs.pceva.com.cn/thread-131173-1-1.html
TR150已达2100倍全碟容量
然后六个档案有无法复原的掉速(2000倍时是五个)
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抓到辣!!
叭叭~IBM也是支持TLC的无良商人

可变电阻的概念