[情报] 性能向左能耗向右 Intel 选择了后者

楼主: ultra120 (原厂打手 !!!)   2016-02-09 10:54:49
英特尔是世界最大的芯片制造商,现在它正在准备拥抱新的技术
以替代沿用了50多年的老计算技术。英特尔技术及制程事业部总经理威廉·霍尔特(
William Holt)
本周接受了采访,他说芯片会继续发展,英特尔很快就会采用新的基础性技术。
按照霍尔特的说法,英特尔暂时还不知道要采用什么新的芯片技术,它们所知道的是4到5
年内必须转用新技术。
霍尔特指出了两种可能性:一种是所谓的“隧穿电晶体”设备,另一种就是所谓的“自旋
电子”技术。
无论是哪一种技术,芯片的设计和制造都需要作出巨大的改变,它们还可能会与硅电晶体
一起使用。
霍尔特说,新技术的速度并不比硅电晶体快,换句话说,芯片的速度在过去一直在飞速提
升,现在它要停止增长了。
从另一方面来看,新技术会提高芯片的能耗效率,对于今天的计算而言这点相当关键,比
如云计算、移动设备、机器人。
“我们将会看到大转变的到来。”霍尔特在洛杉矶国际固态电路研讨会上说,“新技术存
在本质上的不同。”
在过去几十年里,芯片产业一直被摩尔定律主导,它由英特尔联合创始人戈登·摩尔(
Gordon Moore)于1965年提出。
摩尔认为相同面积芯片中的电晶体数量每2年翻一番,成本不增加就可以提高芯片的性能

为此,英特尔及其它企业不断生产更小更便宜的电晶体,安装到处理器中,保证了摩尔定
律的有效性。
可惜的是电晶体的能耗也越来越高。在两大趋势的推动下,超级电脑、笔记本、智慧手机
、无人驾驶汽车都被开发出来。
霍尔特说他们还可以继续开发2代产品,相当于4到5年时间,到时硅电晶体的尺寸将缩小
到7纳米。
霍尔特提到的两大技术有可能弥补缺陷。现实却并不美好,DARPA和半导体研究公司虽然
已经投资研究
但隧穿电晶体离商用还是很遥远。电子会伤害硅电晶体的性能,随着电晶体越变越小,伤
害也会越来越严重;新技术却可以利用电子的量子力学特点。
自旋电子设备已经接近商业化,明年可能就会推向市场。原来的“数位”(Digital Bits)
是通过两种不同的编码转换来呈现的
现在要通过粒子的量子力学特点来体现,比如像电子一样自旋。
加州大学电子工程师王凯(Kang Wang)表示,霍尔特的论断和自己的预测相符,自旋电
子明年就会出现在低能耗内存中
还可能会出现在高性能显卡中。举个例子,东芝去年曾宣布,它们已经成功开发一个实验
性自旋电子体内存内存阵列
它的能耗比SRAM(高速内存的一种)低了80%。
隧穿电晶体和自旋电子技术都有一个缺陷,它需要英特尔改变制造流程。曾经,企业们通
过缩小硅电晶体的尺寸保持了摩尔定律的长盛不衰
成功开发了一代又一代强大而能耗低的芯片。两大新技术的资料传输没有硅电晶体快
。霍尔特说:“降低能耗,同时降低速度,这是我们所能做的最好的技术改进。”
从霍尔特的话来看,摩尔定律即将走向终结。他认为继续改进能耗而不是一味提高计算性
能,对于今天的电脑来说是最重要的事。
霍尔特称:“看看物联网,重点已经从提升速度转向了减少能耗。”
来源:https://goo.gl/8yIDXX
XF 编译 http://www.xfastest.com/thread-168442-1-1.html
白话:消费家用 低耗能最重要 核心4或2就够
作者: oyasuminasoi (滑石粉)   2016-02-09 11:04:00
现在I7对玩游戏来说也是效能过剩了 我e3也玩不满 降低耗能倒是真的
作者: MoriNakamura (森)   2016-02-10 12:27:00
救救北极熊

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