在 JEDEC 更新 HBM 资讯后，Samsung Electronics 有了新动作。
Samsung Electronics 在 19 日宣布，公司开始量产 4GB 封装的第二代 High Bandwidth
Memory（HBM2）。
4GB HBM2 DRAM 采用 Samsung Electronics 20nm 制程以及 TSV 内存技术；每颗 4GB
HBM2 DRAM 由 4 颗 8Gb 颗粒所组成。全新的 HBM2 有着 256GBps 的频宽，若与 HBM 相
比，这频宽量可说是多了一倍，至于和 36GBps 的 4Gb GDDR5 颗粒进行比较，HBM2 的频
宽是 7 倍之多。
hbm2
目前 4GB HBM2 将会在 HPC、显示卡以及企业及服务器的网络系统上被采用。
同时，Samsung Electronics 预计会在 2016 年释出 8GB 版本的 HBM2，而相关产品若被
运用在绘图卡上，使用者可以获得比 GDDR5 更强大的效能以及更小的体积。
依照早前的资讯，AMD 的 HBM 为 SK Hynix 供应，至于 NVIDIA 则是与 Samsung Electr
onics 合作。
来源： https://wp.me/p6hdBJ-1V3
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