SK hynix 准备完成，Q3 进入单模组 128GB
现今内存仅剩下少数几家，分别为 SK hynix、Samsung 与 Micron 瓜分著全球市场。
不过虽然市场竞争对手少，科技大头间的角逐仍然相当激烈，其中就以新开战局 DDR4 最
为明显
除了抢著推出高频模组之外，对于容量推升方面，更是目前角逐竞争的第一前哨站。
容量翻番速度异常高速，单模组 32GB 的情况其实还在不久之前
不过 SK hynix 已经准备在今年 Q3 推出 64GB（w/ TSV），更为异常的是颗粒还没摸热
时
128GB 就准备在同时间登场抢市。不过 Sk Hynix 推出的主要为 LRDIMM，与 Samsung 准
备推出的 RDIMM 有着本质上的大差异。
Samsung 紧追在后，导入 TSV 技术
另一内存大厂 Samsung 则是一反常态，落后 SK hynix 约一季以上的时间差。
不过这部份延宕主要原因为 TSV 技术导入，才造成这种失策。那么 TSV 是什么呢？
最广为人知的莫过于 AMD Radeon R9 Fury 上所配的 HBM 内存，不仅小巧之外，频宽
远超 GDDR5 成为 AMD 手中的逆转王牌。
单一颗粒容量提升的方式相当多元，如早期的堆叠封装，透过颗粒层层架高与线路拉上去
连结
已经被我们使用了许多年。不过随着颗粒高速化，与制程微缩，这种古老的权宜之计已经
不堪使用。
因此新的堆叠方式因应而生，TSV（Through Silicon Via）硅穿孔技术为近年来持续向上
发展的方向。
HBM 不过是 TSV 正式在众人目光中闪烁的其中一个契机，早在 HBM 之前，TSV 即已经应
用在我们所熟知的内存模组中
首个接纳 TSV 技术的内存类型就是 DDR4。两者搭配下来除了带给 DDR3 望尘莫及的容
量领先之外
透过 TSV 目前最高可达 8 层堆叠的方式，提供比 DDR3 两倍以上的容量与更高速的电子
讯号。
不过目前 TSV 也不是无往不利，如堆叠的层数，就还处于低层数阶段。
正式进入大量生产阶段的仅有 4Hi 架构，不单数量少之外，容量密度仅为少少的 16Gb
换算单层仅 4Gb，并无法有效拉开旧工艺间差距。
不过在 Samsung 的努力之下，今年底将会推出单一模组 128GB 的 DDR4 RDIMM，单一密
度从原先的 16Gb
提升为 32Gb。随着开发时程越来越短，不难想像未来 8Hi 堆叠技术较成熟后，容量密度
将走向另一个巨量层次中。
来源︰http://www.xfastest.com/thread-162742-1-1.html
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