Intel 力推嵌入式 DRAM，力拼三星、SK 海力士
英特尔（Intel）半导体龙头地位摇摇欲坠，与三星电子差距日益缩小，英特尔似乎下决心
要扳倒后进，据称打算力推嵌入式 DRAM（eDRAM），减少对 DRAM 的依赖，让 DRAM 记忆
体大厂三星和 SK 海力士狂冒冷汗。
韩媒 BusinessKorea 1 日报导，当前 DRAM 市场由三星和 SK 海力士称霸，据传英特尔想
削弱对手，第六代 Skylake CPU 配备 eDRAM，提高图形运算效能。eDRAM 和 DRAM 不同之
处在于，eDRAM 内建在 CPU die 内，DRAM 则和 CPU 各自独立。业界分析师称，英特尔先
前的 Haswell 和 Broadwell 芯片已内建 eDRAM，原本是实验性质，如今已成为核心策略
。日本和美国的半导体杂志也说，中长期而言，英特尔或许会整合 CPU 和 DRAM，发展
eDRAM。
报导称，英特尔作法仿效苹果，苹果 A 系列处理器效能极为稳定，数据和图形处理速度都
快过 Android 机种。A 系列芯片 DRAM 小于 Android 机，却因采用高效能 SRAM 和 CPU
有突出表现。和 SRAM 相比，eDRAM 的优势在生产成本较低，容量较大。与此同时，英特
尔的 3D XPoint 技术也可能重创 DRAM，美国业者独霸个人电脑和服务器 CPU，可能会藉
此推展新技术，如果 3D XPoint 用于服务器、电脑、行动装置，未来可能成为业界主流
，逼走 DRAM。
科技新报
http://technews.tw/2015/09/01/intel-edram/