IBM联手Samsung做出了史上最强的7奈米芯片，台积电、Intel还在10奈米打转
janus 发表于 2015年7月10日 11:20
根据纽约时报报导，IBM研究实验室宣布全球首款7奈米制程的原型芯片已经制作完成。而反观他们的对手，台积电今年年中才开始16奈米制程量产，而明年下半年则预计会开始10奈米制程量产，另外一家Intel也还在10奈米上面打转，使得IBM的进度超越了对手，专家预估最快两年后可以用在商业发展。
IBM研究实验室是与他们的合作伙伴：三星、格罗方德（GlobalFoundries）和纽约州立大学纳米理工学院。一起宣布这项成果。根据 IBM半导体科技研究部的副总裁Mukesh Khare表示，这款芯片首次用一种叫做“硅锗”（silicon germanium，简称 SiGe）的材料，替代原有的纯硅，并采用了极紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影技术。
不过，EUV微影技术虽然已经推出几十年了，但由于光源不足的缺陷，至今仍无法提供制造芯片所需的良率与产能。去年在英特尔开发者论坛(IDF)上，英特尔院士Mark Bohr甚至表示，EUV“尚未准备就绪，其产能与可靠性都还未能到位。”
因此，这次IBM研究实验室所宣布的成就，也象征了EUV技术可能已经突破了瓶颈，也将会对未来整个产业产生关键的影响。
相较于10奈米制程，使用7奈米制程后的面积将缩小近一半，但同时因为能容纳更多的电晶体（200亿+），效能也会提升50%，IBM将有机会制造出世界上最强大的芯片。不过，IBM并没有提出7奈米付诸量产的时间表。
资料来源：NYT
http://www.techbang.com/posts/24637-ibm-announced-the-launch-of-historys-most-powerful-7-nano-chip-efficiency-than-todays-chips-4-times-times