Intel拥有地球上最先进的半导体制造工艺
官方毫不谦虚地说要领先TSMC等对手三年半
不过16/14nm节点上其他对手也追赶上来了
三星的14nm FinFET工艺已经量产，还在积极准备10nm工艺
而TSMC也预计在2017年量产10nm工艺，差不多跟Intel同一年推出了
水准相当。Intel的王者地位似乎受到了挑战，不过他们并不为此着急
手里还是有很多黑科技的，别说10nm工艺了，他们已懂得如何制造7nm工艺了。
Intel公司总裁蕾妮‧詹姆斯（Renee James）
在公司年度会议的Q&A提问环节回答了制程工艺的问题
她说“10nm之后会迎来7nm工艺，我们对如何在该工艺节点上生产半导体很自信。
总之，我们认为我们的状况非常好。”
这并非Intel第一次对7nm工艺表达自信了，去年的IDF会议上
Intel院士Mark Bohr在回答提问时也做过类似表态。
当时大家都很关心EUV光刻设备的进展，这对半导体制造很重要
但他表示就算没有EUV光刻机，Intel也懂得如何制造10nm及7nm工艺电路。
作为摩尔定律的提出者及最坚定的捍卫者，Intel在半导体工艺上一直保持领先
他们手头还有很多黑科技没有曝光。此前有分析认为Intel在10nm
节点可能会使用量子阱电晶体、铟镓砷及应变锗等先进工艺与材料
Intel虽然并没有公开讨论过10nm及7nm工艺的细节，但他们如此自信的背后显然是有备而
来的。
来源︰http://www.expreview.com/40745.html
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