[问题] 求救,关于半导体制程

楼主: fricsay (Life sucks)   2003-06-18 00:39:21
对不起,不知道在这里问适不适合,
不过真的满急的,我也不是本科,只好来求救...
制程中有一部份是微影技术,
其中有利用"相移式光罩(phase shift mask)"来提升原始图案转印在晶圆上的分辨率,
其中有一部份我看不太懂,
"有关于当罩幕上的原始图案间距/线宽比在3.0-6.5之间时,
外辅助图案和内辅助图案的配置方式。
习知技艺中当原始图案间距/线宽比大于6.5时,
会在每一个独立线条外侧配置辅助图案,
使其能获得充分的制程窗口(process window),
一个充分的制程窗口能确保投影的影像线条与原图形线条一致。"
"当原始图案间距/线宽比小于3.0时,则仅在最外侧线条配置辅助图案,
在密度甚高的线条间并不配置辅助图案,
因为若在密度甚高的线条间配置辅助图案的话,
很容易就会产生sidelobe的问题或是增加罩幕误差因子。"
想请问各位,process window、sidelobe是什么意思...
还有配置所谓的辅助图案是利用什么原理减少上述的问题?
非常感谢解答

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