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过热问题有解？新一代 Android 旗舰芯片核心升级曝光
3.原文来源(媒体/作者)：例:苹果日报/王大明(若无署名作者则不须)
自由时报/黄肇祥
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2021/07/29 10:20
文／记者黄肇祥
高通今年度发表的旗舰芯片 S888，普遍被用户反映有“温度控制”的缺点，效
能也未缩短与苹果 A14 差距，下一代产品该如何出招呢？爆料达人 Ice
Universe 率先揭露核心升级。
据 Ice Universe 说法指出，高通下一代的旗舰芯片将被命为“S898”，而非外
界预期的 S895，将搭载一颗 ARM 全新 Cortex-X2 CPU 大核心，最高频率来到
3.09GHz，将比这一代的 S888（2.84GHz）、S888（3GHz）最多提升约 9%，然而
这仅是单一核心的细节，其他结构升级尚无法得知。
另一名爆料客 Evan Blass 先前则透露，这颗旗舰芯片会有全新 ARMv9 架构
Kyro 780 核心，支援最高 LPDDR5 内存，制程技术将由现在的 5nm 晋升到
4nm，并有传言指出，高通会将下半年的 Plus 版本交由台积电负责，届时在耗
能、效能方面都能带来更好的品质，亦有望改善当代发热问题。
按照惯例，S898 会在高通每年 12 月举办的发表会登场，相关机款最快会在
12 月底、1 月间推出，过往最具指标性的机款都是三星的 Galaxy S22。然而，
三星目前正与 AMD 联手开发全新处理器，S22 被外界视为首款采用新机，是否
会同步推出高通版本？仍有许多变量。
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高通今年的旗舰款芯片的温度问题也引发不少批评，应该会是下一代的改善重点
并且还会用上最新的X2核心，我想如果换核心频率又提升，效能应该不只会提升9%吧