借助三星7nm制程，ARM架构处理器运作时脉将可突破3GHz
2018-07-09 07:33杨又肇
三星稍早宣布，将与ARM进一步合作7nm FinFET LLP，以及5nm
FinFET LPE制程技术，其中7nm FinFET LLP制程技术将会在今年下半
年试产，预期将在2019年进入量产阶段，而ARM方面将与三星合作
Artisan POP技术授权，同时也将包含ARM旗下DynamIQ技术授权。
而借由制程技术缩减，三星预期将可让ARM架构处理器运作时脉可突
破3GHz，意味ARM架构处理器运作效能将能更具体与Intel为首的x86
架构处理器比拟，同时也呼应先前ARM、Qualcomm均强调未来处理器
产品将能进一步与传统PC抗衡的说法。
除了今年将进入7nm制程发展，并且准备进入5nm制程发展之余，三星
也预告接下来的目标将会放在3nm制程技术，意味三星旗下处理器产
品将准备进入更小制程发展之外，包含Qualcomm等厂商所制造的处理
器也将进入更小制程，并且将使Intel面临更大竞争压力。
至于借由更小制程让处理器运作时脉提升至3GHz以上，意味三星接下
来也准备借由ARM架构处理器进军笔电市场发展。
https://udn.com/news/story/7087/3241936
高时脉冲起来！随着制程不断进步，移动装置的时脉也可以逐渐拉高吧
最新的S845/E9810就已经可以跑到2.8/2.9GHz的时脉囉
之后七奈米要更冲刺的话，行动装置的效能可望突破新境界？