《电脑设备》智慧手机进入大容量时代，群联抢卡位
2018年02月27日 13:41 时报资讯 【时报记者王逸芯台北报导】
群联(8299)为因应智慧行动储存市场进入128GB、甚至是256GB的大容
量等级需求，群联(8299)今(27)日正式宣布eMMC/eMCP/UFS控制芯片
将全系列支援美光64层3D NAND Flash，亦已准备次世代96层技术研
发，不但协助客户在智慧行动装罝市场扩大产品战线，亦为客户卡位
车联网商机作好准备。
2018年全球行动通讯大会(MWC)登场，应用于智慧型手机的AI运算、
AR虚拟应用、身份辨识、GIF贴图、4K HDR影片录制以及环绕音场等
创新功能成为各大国际手机厂发表新机之亮点，为能满足这些多媒体
功能储存需求，今年度的智慧新机之内嵌式内存容量全面跃升至
128GB、甚至是256GB的储存容量等级。
从各国际品牌手机厂2018年将推出的旗舰机种来看，非苹阵营的国际
智慧新机之内嵌式内存eMMC/eMCP的储存容量规格提升至128GB，至
于全球前两大智慧型手机厂主攻之旗舰新机则不约而同皆搭载256GB
的UFS内嵌式内存，除了为2018年智慧型新机大容量储存规格赛正
式鸣枪开跑，亦同步宣告64层甚至更高层数的3D NAND Flash技术正
式接棒成为快闪存储器的主流制程。
群联表示，从快闪存储器技术演进来看，当容量需求快速增加，甚至
是倍增之时，2D的平面生产技术已不能满足终端应用之需求。就2D之
NAND Flash之限缩每个储存单位、同时增加同一层储存密度的微缩技
术已逐渐接近物理极限，因此导致最高容量大多停留在128Gb(16GB)
之容量水准。至于3D 之NAND Flash技术，则透过垂直立体堆叠储存
单元的方式，突破容量上限的瓶颈，其最高容量将可倍增至
256Gb(32GB)，并可提升读写资讯之效能。
有鉴于市场应用，再依据目前各大国际快闪存储器制造大厂的3D
NAND Flash制程演进来看，群联电子看好，64层的3D NAND Flash将
为今年最大宗之主流技术，因此除了领先同业推出的可支援该制程技
术的高速UFS控制芯片PS8313之外，包括既有热卖的eMMC/eMCP
PS8226等全系列控制芯片皆同步支援东芝阵营及美光阵营的64层3D
NAND Flash，另方面，进一步支援次世代的96层3D NAND Flash之先
进制程技术的控制芯片亦有望在年底接棒推出，力求以全方面且长期
完整的产品规划满足智慧行动装置、车联网等客户扩大全球市场布局
之需求。
(时报资讯)
http://www.chinatimes.com/realtimenews/20180227002445-260410
群联电子是台湾的控制芯片大厂，也是交大现在电机系的荣光，以前应该是电控系的
当然在手机迈向大容量时代不能缺席，我想某些程度也算是台湾之光吧
虽然老板不是台湾人，总爱说自己不用当兵XD