高通的公关稿全文
https://goo.gl/jx3SJD
Get small, go big: Meet the next-gen Snapdragon 835
Samsung’s new 10nm FinFET process, for instance, allows up to a 30 percent
increase in area efficiency with a 27 percent improvement in performance or
up to 40 percent less power consumption compared to the previous version
完整的说法是与先前技术(应该是指14nm Finfet)相比
面积使用效率可以提升30% 效能提升27% 能耗降低40%
但是架构本身的细节就没有多谈了，可能要等到更完整的发表会?
不过QC4.0的部分就比较有数字上的凶猛
号称充电五分钟使用五小时
http://i.imgur.com/9jHWkvb.jpg
0~50%只需15分钟
http://i.imgur.com/X1XNtIh.jpg
目前没有公布很详尽的规格
但我觉得很有可能会跟最近Google的动作会打起架来XD
不知道后面Google会不会再"多说"什么XD
http://www.ithome.com/html/digi/273602.htm
高通刚刚公布了下一代骁龙处理器——骁龙835，高通骁龙835芯片将在2017年初发布，因
此支持最新的Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm制造工艺打造。高通骁龙
835处理器将取代骁龙821/820，成为高通公司顶级移动处理器。
不过目前高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能领先，
提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。
IT之家援引消息，三星表示10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，在高
通骁龙835上具体数值还需要后续才能知晓。但高通骁龙835芯片面积将变得更小是毋庸置
疑的。
三星Galaxy S8有望成为首款搭载高通骁龙835处理器的智能手机设备，LG和HTC也将推出
搭载骁龙835的智能手机。