※ 引述《chyboxer (大头)》之铭言：
: 先来讲讲延长寿命的方法
: 因为之前就是在做锂电池保护板的
: 试过很多种电芯
: 对这方面其实还算了解
: 我学Tim哥用最快速简单的方式带过去~
: 1. 别过放电 有电源尽量插著
: 这跟cycle life & 材料特性有关
: 过充基本上不可能 保护IC会致能
: TI的BMS保护IC算最常见又平价的(<1$ for 1k)
: 有兴趣的可以查一下相关的spec.
A:别过放电这点正确，电源不能一直插著，摊开电池充电曲线可以得知
从0%~20%是直线上升，因内阻V=IR关系，20%~80%属于线性区，斜率相对平缓
(电池化学特性)故此段是充电放电，最佳状态，80%以上属于非线性区，
电压会急速上升，故会发现后段充电电流会下降，这也是电池化学特性，
因化学可反应物，以快速减少，因此可以反应的原料越来越少，
从以上可得知，请避免在急速上升电压区间进行充放电。
以目前我所知道的手机，台厂所制造生产的手机，都是使用Dumb设计
并无TI BMU IC设计，苹果则是有使用TI BMU IC，这点我无法透露。
因为苹果的用料，是有商业机密在，无法流出。
: 2. 电量维持在40%以上 尽量别大电流充电 (我觉得别超过0.5C)
: 如果你的手机电池是2000mAh
: 充电电流就尽量别超过1000mA
: 也就是1A
: 连车规 + 动力型电芯(能瞬间40C放电)
: 比手机的强好几百倍顶多也只敢2C充电
: 所以我觉得市面上的快充都会加快电池阵亡
: 另外这跟CC-CV充电方式有关系
: 不信大家可以试试看
: 把手机电放干 再充电的时候就会发现充电器非常烫(CC 大电流)
: 如果已经充饱了 再接充电器几乎没温度(CV 维持动态平衡的小电流)
: 详细不多讲...网络上一堆资料可以看
A:正确也不正确，目前的QC 2.0是Base on电池配方进行调整，基本上在低电压的
皆可使用大电流充电，但是会有电压上限，当超过此电压值，则必须降电流充电，
因此目前所有的大电流充电皆遵守这部分做设计，此实验数据，可以请ATL提供
: 3. 远离高温物体.日照
: 锂三元很怕热 这算材料特性吧
: 不太会解释(我不懂化学QQ)
: 我的手机是TWM X6
: 这台换电池非常简单
: 过程不用十分钟(工具只要一个弹吉他的picker)
: 而且比原厂便宜好几倍
: 前几天听到台哥大的报价我差点昏倒
: 条件&成本:
: 去淘宝搜寻ZTE S6原厂电池(大约25元人民币)
: 准备一个弹吉他的picker
: 另外还买了一个全新的背盖(大约12元人民币)
: 因为旧的背盖有地方之前不小心刮到 想说反正超便宜就一起换新
: 不多说直接上图(未换前)
: 拆开的照片 上面有台哥大的贴纸 我后来把他撕掉
: http://imgur.com/a/228IR
: 换新电池后
: https://imgur.com/a/oWE43
: 一共花了37元人民币+运费(但我有买其他东西 这不是主要的 其实可以不用算进去)
: 加上不到10分钟的时间
: 不过奇怪的地方是新旧电池型号相同
: ZTE官方标配竟然只有2300mAh(8.7Wh)
: 在TWM X6标配却是2400mAh(9.1Wh)
: 照理说不同容量 型号不能用相同命名
: 还是第一次见过!?
: 下次有机会再试试看以前同事的HTC M8 (不知道他电池什么时候挂ＸＤ)
: 谢谢大家收看!!
一起回下篇，SOC跟SOH估测方式，有乡民表示皆使用电压方式侦测SOC，
这部分是错的，TI的BMU IC早就使用内阻法，库伦积分法及Look-up table (查表法)
进行SOC跟SOH估测，如果不相信，请上TI网站，搜寻BMU IC Impendance Track
(IT Simulation),阻抗追踪，顾名思义就是使用阻抗来追踪SOC的算法
什么HTC,ASUS,Infocus，皆使用Dumb设计，Dumb是什么?即是一段电压保护IC设计
顾名思义就是过充电过放电有进行保护，好一点手机厂，会侦测电池温度
在加点温度保护，其他什么算法就是没有!没有!没有!
她只是普通的硬件IC，无法写入FW，以上如果有其他疑问或不正确的请纠正。
如果想要找TI人员可以站内信问我，我可以将联络方式告诉各位。