※ [本文转录自 Gossiping 看板 #1M6QQIYi ]
作者: kriz (Encoded) 看板: Gossiping
标题: Re: [新闻] 苹果：处理器制程差异不影响实际使用
时间: Sun Oct 11 08:00:15 2015
※ 引述《ExpressCrass (伊漂古瑞斯)》之铭言：
: 其实苹果这次我不相信内部测试的时候没发现这个问题
: 照理来说14奈米的功耗理当来说应该要小于16奈米的
: 我尽量用文组可以理解的方式说明
让小弟献丑一下，我觉得可以说的生活化一点。
原PO写的很好，但文章过长部分内容已吃掉，请原PO见谅。
: 所谓的制程大小就是电晶体内闸极间(Source和Drain)length的长短
: 越短的话不但单位面积内可以放入更多的逻辑闸增加处理效能
: 也可以缩短等效电阻的总体功耗
: 现在主流的半导体元件还是MOSFET为大宗
: 至于技术方面就是如何去排列堆叠内部的电晶体
: 现在主流技术就是多闸极电晶体
: 也可以用多个电极来控制各个闸极
: 至于结构方面现在主流的方式是使用Fin-Fet这种电晶体结构
: 这可以有效的大面积节省了制成空间
: 缩短了Length长短就等于缩短了多少制成大小
***理论描述***
决定处理器速度的因素众多，这次只提最相关的两个，
1) 电晶体运作的电流通道(channel)，2) 控制电流通道开关的闸极(gate)。
大家可以把电流通道想成”水管”，控制电流开关的闸极想成”水龙头”。
水管大一点，能流过去的水(电子/电洞)愈多(高性能)，但单价就要变贵。
水龙头的档水阀窄一点，可以越快打开(高性能)，但也会更难关紧(高漏电)。
所以除以上两个主要零件，水管/水龙头周边的小零件，都对性能有影响。
***产业科技描述***
目前手机使用Qualcomm等公司 20nm制程(含以上)的Planar FET处理器，
核心电晶体闸极为传统的单一平面设计，电流通道面积小且配合平面闸极，
可想像是小水管搭配一个水龙头。
Samsung 14nm & tsmc 16nm制程生产的3D FinFET处理器，
核心电晶体闸极为新型的3面立体设计，电流通道面积小且配合3D闸极，
简单说是大水管搭配三个水龙头。
所以今天Samsung & tsmc都使用新型的系统，让水可以流更快(更高性能)，
以及让漏水更少(更低漏电)。但代价就是啥都用新的，自然单价是贵松松。
让其他人短时间都跟不上来(UMC, GF, SMIC ………)
***问题描述***
今天帮水果公司作外包的tsmc & Samsung这两个水电工(代工厂)，
对于水管跟水龙头的工艺各有一套，但这次在制造新型的产品时，
Samsung一次把水管作大，又搭配新款窄版水龙头(32 nm node -> 14)，
tsmc则是按部就班(28 -> 20 -> 16)，且搭配新款宽版水龙头(16nm node)，
因为Samsung用窄的水龙头，所以芯片效能本来就会比较快！
但代价就是漏水控制(漏电)也会比较困难，毕竟一次太多新零件，
每个都可能会造成漏水，Samsung作到这样已经相当厉害了。
tsmc马步扎稳，慢慢的改良产品，本来就可预料在漏水控制会胜出一筹，
但是这次tsmc会赢这么多，倒是让人有点始料未及。
Intel Atom虽然也是FinFET，但因不在此次混战中，所以我们跳过。
由于我讲的相当简化，可能很多强者都很补充一下，再麻烦下手小力些XD
最后如果你还看的下去，再补充几点：
1. Samsung不是挖了某t战将过去，不是技术都带走了吗？
Ans: 高阶主管有时只记得大方向，很多水管防漏的怪招他不一定知道。
2. 是否Samsung这次就被打趴了？而且防漏技术太弱短时间追不上？
Ans: 我相信Samsung已经在开发超低漏水的新技术了，很快就会追上来。
“开发”= “拆开”别人的水管就会”发现”该怎么做才能防漏了。
这个领域大家都抄来抄去的，专利绕道设计没在客气的…
刚刚原本做了个G先生跟S小姐购买武功秘笈之后的梦，
但梦到武功原来到现在都练不出来，我就吓醒了....