Re: [闲聊] 电池技术是时候该革命了吧

楼主: butterfly3 (htc)   2015-09-23 10:07:56
电池部分:
其实电池技术一直有在发展, 但电池厂的商业模式和半导体的专业分工模式相去太远
你不能期待它像处理器那样运作:
Design house一季丢出数颗芯片, foundry跟着摩尔定律部段提升制程, 大家爽爽赚
(但现在爽赚的公司似乎只剩下Sieg G翁)
说穿了, 一支手机的成本中处理器占了绝大多数, 要如何期待电池的技术进展有多快?
更别说手机市场已完全饱和, 利润又被某一厂商捧去九成
所以...你知我知独眼龙也知,
电池巨大市场和利润要放在未来的自动车领域
化学/材料界已经夯很久的石墨烯(graphene)扮演关"超级电容"键角色
高电荷密度、高接触面积、单原子层、透光率高又可以大量生产
由石墨烯为电池电极的超级电容可以实现极快速大量充电
ex: 数秒充完一颗手机电池
不过和目前常见的电池相比也是有些缺点, 像是电荷储存时间短、造价高、不够稳定
国际上石墨烯的专利卡位大战早已开打, 应用端的专利已经被美、韩、中国盘据
台湾目前有着墨在这领域的公司有达兴、TCNT、安炬、奈创、等等
更多技术部分: http://www.graphene-info.com/graphene-supercapacitors
也有人提到关于内存部分:
今年SEMICON中, "内存革命"已经是大家公认的现在进行式了
DRAM, NAND目前主流, RRAM和MRAM早已酝酿多时
随着intel/micron发表3D XPOINT以及everspin将MRAM进化到ST-MRAM且交给格罗方德量产
可以说百家争鸣!
MRAM优点是不需耗电即可进行比DRAM更快的读写, 但可能会受到周围磁场变化影响
而且容量只到16MB
ST-MRAM可提升至GB等级, 稳定性表现更好, 制程也搭上了40nm
今年intel/micron发表的3D XPOINT则是号称有可以同时取代NAND和DRAM
更大的容量密度、更快读写速度(都提升百倍以上), 必且即将量产
作者: citywanderer (秋意渐浓 小心秃头)   2015-09-23 11:35:00
我要求很低 只希望充一次电 正常使用下 能撑一个礼拜 只是好像遥遥无期 XD

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