确定四核心处理器之外，在 3G/LTE Summit 上，Qualcomm 有一系列的资讯公布。
Quick Charge 2.0 技术已经慢慢被智慧型手机采用，同时许多用户都可以开始感受到这
技术所带来的改变。
在 3G/LTE Summit 中，Qualcomm 宣布推出新一代的快充技术 – Quick Charge 3.0。
新一代的 Quick Charge 3.0 导入了称为“最佳电压智慧协商”算法（Intelligent
Negotiation for Optimum Voltage，INOV）。INOV 是 Qualcomm 自行开发的全新算法
，可以帮助行动装置拥有选择所需功耗的能力，这主要可以允许装置在任何时间获得最佳
功耗传输表现，以及维持最大充电效率表现。
Quick Charge 3.0 可以允许装置在 35 分钟内，将电力从 0 充至 80%。一般来说，不具
备 Quick Charge 技术的装置需要一个小时半左右。
与 Quick Charge 2.0 相比，Quick Charge 3.0 可以提高快充速度达 27%，或是减少功
率损耗最高大 45%。
Quick Charge 2.0 提供 5V、9V、12V 以及 20V 四种选项；Quick Charge 3.0 则是从
3.6V 至 20V，并以每一位阶 200mV 提升。
目前 Quick Charge 3.0 将会在 Snapdragon 820、620、618、617 与 430 SoC 上见到，
不过是否会导入，则需要视品牌的产品规划而定。
消息来源 https://wp.me/p6hdBJ-11K
感觉 2.0 都还没流行
3.0 就来了
到时候明年应该都是 TypeC + 3.0 快充了
才刚买好2.0的设备 ZZZ
Intel 方面应该明年也会有吧 Atom Z4 配 子龙三代 + 快充