※ 引述《ShangLai (Shang)》之铭言：
: 这边提供几个梦到的消息：
: 首先，台积电与高通已经闹翻了，主因还是在价钱。台积电因为有了苹果做后盾，
: 不愿再任高通予取予求，所以高通愤而转向三星14nm，所以S820由三星代工是确定的。
: 第二，苹果promise给台积电的量非常大，所以台积电才敢与高通闹翻。
: 之前听到的韩媒说法, 听听就好.
: 第三，20nm的后段制程与16nm的后段几乎一样，两者几乎相同。
: 逻辑制程的良率取决于后段制程，所以等到16nm量产，其良率很快可以ramp up到
: 20nm的水准.....
1. 20nm的制程本来就比较耗电,发热量比较高.
S810就是用 TSMC 20nm, 原本就先天不足,
然后高通big.LITTLE学费还没缴够,所以后天不良.
造成现在Qualcomm Snapdragon 810被电的体无完肤的惨状.
制程上的缺点当然可以透过架构来修补,
所以苹果A8虽然用了比较差的20nm制程,
还是没有明显过热/耗电过大的现象.
但是有些产品的特性是后天都救不了的,
Nvidia就绝对不会出20nm 制程GPU.
当初就已经说会直接28nm => 14/16nm.
2. TSMC 20nm BEOL 跟 16nm BEOL基本上都是一样的,
pitch 80 + LELE double pattern.
20nm FEOL 跟 28nm FEOL基本上差不多, HKMG,
问题是Planar Device在20nm就是漏电流问题难以解决,
所以才会比较耗电,发热量高.
16nm FEOL 先有 16FF => 16FF+ => 16FFC (in developing)
16FF输给 Samsung 14LPE, 16FF+就补回来,
但是三星也还是会有新一代的FF,
所以这里的胜负还在拉锯中.
三星最近主攻FD-SOI,这个会对28nm device有重大改进,
https://www.semiwiki.com/forum/content/4264-fd-soi-samsung.html
如果成功有可能会对TSMC 28nm有冲击.
但是到目前为止, TSMC 跟 Samsung的 14/16nm制程
本质上都差不多,没有啥么重大的差异.
TSMC 16nm对上 Samsung 14nm的优势,
主要建立于TSMC 16nm BEOL已经磨得很亮,
所以良率的提升会比28nm => 20nm快.
3. 到了10nm, TSMC跟三星就可能走上不同道路了.
https://www.semiwiki.com/forum/content/4510-tsmc-processes-galore.html
TSMC BEOL 会走 SADP/SIT, 这制造成本会比LELE DP低,
良率也会比较高,但是设计规范会囉嗦很多,所以有好有坏.
SADP原本主要用于规律性的设计, (如DRAM/SRAM),
这个一看就知道是三星的当家技术. (也就是说三星在这方面也非常强).
三星的10nm目前公开的讯息不多,
所以能讲的就不多,
虽然在2月已经有公开的10nm demo chip来展现技术.
以目前的资料看(可能还会有变化),
10nm TSMC 底层金属比较密,但是电晶体大不少.算起来
密度差不多,但是三星略胜. 3072 vs 3220, 越小越好.
但是都输Intel输很大. 性能方面无分析资料.
https://www.semiwiki.com/forum/content/3884-who-will-lead-10nm.html
Density Comparisons
130nm 90nm 65nm 45/40nm 32/28nm 22/20nm 16/14nm 10nm
Intel 111,650 57,200 46,200 38,800 12,656 8,100 3,640 2,101
TSMC 105,400 57,600 28,800 20,736 11,590 5,829 5,760 3,220
GF/S 122,500 60,025 36,000 15,093 8,640 4,090 4,992 3,072
4. 综合以上,回到MobileComm主题,
可以预言Apple A9/A9X 跟A8比,无论在功耗/效能上
都将会有明显的进步.
S820 如果Qualcomm架构上有学到教训,也会比S810好很多.
但是目前就只能看Exynos 7420独霸一阵子.