https://technews.tw/2024/12/19/russia-plans-euv-chipmaking-tools/
综合外媒 CNews、Tom’s Hardware 报导，俄罗斯已公布自主开发曝光机的路线图，目标是
打造比 ASML 系统更经济且更复杂的设备。这些曝光机将采用波长为 11.2 奈米的雷射光源
，而非 ASML 使用的标准 13.5 奈米波长。因此，新技术无法与现有 EUV 基础设施相容，
需要俄罗斯自行开发配套的曝光生态系统，可能需要数年甚至十年以上时间。
该国半导体计画由俄罗斯科学院微观结构物理研究所的 Nikolay Chkhalo 领导，目的是制
造性能具竞争力且具成本优势的 EUV 曝光机，以对抗 ASML 的设备。其中，俄国将采用 11
.2 奈米的氙（xenon）基雷射光源，取代 ASML 的锡（tin）基系统。Chkhalo 表示，11.2
奈米的波长能提升分辨率约 20%，不仅简化设计并降低光学元件的成本，还能呈现更精细的
细节。此外，该设计可减少光学元件的污染，延长收集器和保护膜等关键零件的寿命。
俄罗斯曝光机还可使用硅基光阻剂，预期在较短波长下将具备更出色的性能表现。尽管该曝
光机产量仅为 ASML 设备 37%，主要因为其光源功率仅 3.6 千瓦，但效能足以应付小规模
芯片生产需求。
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