传台积电N3E良率进展超预期 或将提前6个月投产
集微网消息，据科技网站Tom's handware报导，台积电N3E工艺良率超预期，N3E SRAM的
良率明显高于N3。
近期，一份台积电内部资料被泄露，资料显示N3E工艺发展十分顺利，良率表现突出，可
提前约六个月投入生产。其中256Mb SRAM的平均良率约为80%，移动设备以及HPC芯片的良
率也为80%左右，经过良率验证的环形振荡器性能优于92%。
摩根士丹利在3月发布报告指出，台积电第一代3nm制程（N3）的改良型N3e制程进展顺利
，将在3月底前完成N3e制程设计流程。
《工商时报》也曾报导，N3E 工艺将会成为各大厂商量产主力，包括苹果 iPhone 15 系
列的的A17处理器、下一代的M3处理器，还有AMD未来的 Zen5等等。台积电尚未回应此报
导。