半导体技术再突破 清大团队研发新材质助攻护国神山
〔记者杨媛婷／台北报导〕台湾半导体研发再突破，运算能力突破5个世代、总计提升10
倍！清华大学电机系暨光电所副教授刘昌桦、物理系教授郑弘泰、电机系暨电子所的特
聘教授邱博文团队成功开发出仅有3个原子大小、仅0.6奈米大的二维材料积体电路核心
，该核心运用新颖的二维层状磁性材料（Fe3GeTe2），可仿佛积木自由堆叠石墨烯等材
料，让芯片核心可更大幅度客制化，预计5-10年可实际用到业界。
半导体发展都遵循摩尔定律，随着制程技术的提升，每18个月效能就会加倍，目前半导
体都是用三维材料制造，为让半导体可以更小、运算能力更佳，会需要更高的制造工艺
与成本，但仍难以克服漏电的缺陷，也因此让半导体的发展趋缓。
此情况将有望突破，刘昌桦团队开发出新型的异质结构（凡德瓦尔异质结构），该结构
包含新颖的二维层磁性材料和只有3个原子大小厚度的二维绝缘体构成“磁穿隧电极”，
突破过去只能用光操控该材质的困境，在刘昌桦团队的努力下，用电就可操控材质，更
有利于产业界实际运用。
不同于传统半导体无法拆解、组装，刘昌桦说，该材质突破传统的限制，可以单独拆解
、组装，就像是积木般和石墨烯等其他二维半导体材料结合，未来实际运用到产业，可
让半导体客制化的自由度更高，也让半导体材料组合有更多可能性。
至于该技术要用到半导体产晶圆，刘昌桦评估还有些问题要解决，主要受限于材料生产
，如其中用到的材料包含二维层磁性材料、二维绝缘体，若要量化生产可能还要5-10年
时间。
看不懂～先喊护国就好