Leti找到彻底颠覆制造microLED的新方法
http://bit.ly/2Jvuid2
来自法国原子能总署（CEA）旗下的电子资讯技术研究所Leti声称，研发出生产microLED
的新方法，将彻底颠覆高性能显示器的制造。Leti在加州圣荷西举行的国际资讯显示学会
（SID）显示周上，详细介绍了一种将发光半导体与基于硅的驱动电路相结合的新制造制
程。
这是一种在CMOS制程上制造GaN（氮化镓） microLED显示器的新技术，该技术能够显著减
少传输步骤，并消除从智慧手表到大型电视等应用领域的尺寸限制。这一新方法是在CMOS
驱动电路上制造一体化RGB microLED的基本单元，并将器件转移到简单的接收基板上，然
后可以采用全半导体晶圆级方法制造出这些单元。
Leti表示，虽然microLED显示器可以提供比现有LCD和OLED技术更出色的影像品质和更高
效能，但目前存在很大的商业化障碍。最大的挑战之一是在为了提高影像亮度、反应速度
、以及支持不断提高分辨率的需求下需要更高的功率，并改善驱动电子装置的性能。在
microLED显示器中，在固定画面时间内需要更快的电子为数百万像素提供电源，但是现有
的TFT有源矩阵显示技术无法提供必要的电流和速度。
除了更高性能所需的更高功率和驱动速度之外，该过程还避免了目前在microLED和接收基
板之间进行电气和机械接触所需的几个昂贵制程技术。不过，这一目前还处于概念验证阶
段的新制程，为商业化高性能microLED显示器的开发奠定了基础。简单来说，基于CMOS的
方法能提供具备更高亮度和分辨率的micro LED，将彻底颠覆大尺寸电视产业。
采用使用CMOS制程有几个优点，例如器件性能，高度整合以及microLED直接堆叠在电路上
的使得连接变短。它还提供最佳填充率，即microLED占据的最小表面加上总像素区域的电
子器件。这是透明显示器的理想选择，可以实现最大的透明区域。这种新方法的另一个优
点是基本单元可以嵌入除光发射之外的其他功能，例如：只要是使用CMOS技术制造，影像
传感器和许多其他功能元件也可以添加到芯片单元之中。
总之，这一新概念验证阶段的新制程为商用高性能microLED显示器铺平了道路，也可能成
为显示器产业的游戏改变者。
在这一次SID显示周之中，索尼、英特尔、LG显示器和三星，以及包括设备公司Aixtron和
GaN材料开发商Allos Semiconductors等供应链公司都谈论到该技术，显示其愈来愈成为
厂商关注的新显示器技术。