※ 引述《WiseWang (钝石成器)》之铭言：
: 在跑DRC时,往往会出现density error
: 是说你的metal占电路的总面积没有到正常的比例.
: 这次作业不用考虑这些错误.
: 这是因为这种error是在完成整个芯片后才要考虑的问题.
: 因此在完成小小一个block时还不用管这些问题:)
Standard Cell或是小block不必要考虑Density rule,
因为这通常是以面积100um*100um以上的区域为基本
检查单位.
: 实际上在做芯片时,可以用填金属的方式满足area coverage,
: 做一些设定电脑就会帮你把空白的地方填上金属,
这个动作通常称为Dummy Metal Fill. 有各种DMF的
pattern, 甚至可以申请这些pattern的专利.
: (但有人觉得旁边金属太多,杂散效应会影响到性能(这是电磁学的领域了))
不同的pattern会有不同的效应. 通常在Critical Net/Path
周围可能会避免做DMF, 以免影响到Timing. 但是不做DMF,
Chip Yield Rate会降低, 所以这是取舍问题.
: 但要满足area coverage 的原因,我想是和光罩有关.
: 实做时芯片表面填感光剂,上面摆光罩做曝光.
: 有金属的地方才会在光罩上挖洞.
: 如果这些缝隙挖的不够多,打在光罩上的光线会反射,
: 影响到原本应该要穿过缝隙打在芯片表面的光,
: 就会影响到曝光结果(产生不可预期的灾难?XD).
: 所以才会要求挖空的部分一定要占某个百分比以上.
: 避免上述的情形发生.
: 唬滥完毕m(_ _)m
这倒是唬滥没错, Density Rule是为了维持良好的CMP结果, 保持
Metal (especially copper) & Dieletric (especially low-K)
平面的平坦与完整性. 最新的趋势(below 90nm process)是要舍弃
直接的Density Rule, 改用Model Based Simulation以达到更精确
的结果.
※ 编辑: hancel 来自: 220.136.40.136 (08/31 23:56)