标题:DRAM 发明人 Robert Dennard 辞世，缩放定律影响半导体 30 多年
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科技新报
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作者 Atkinson | 发布日期 2024 年 05 月 06 日 13:00 | 分类 半导体 , 科技史
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DRAM 内存发明人 Robert Dennard 于 2024 年 4 月 23 日逝世，享寿 91 岁。
IBM 官网指出，Robert Dennard 于 1932 年 9 月 5 日出生于美国德州特雷尔，1958 年
获卡内基理工学院电气工程博士学位，加入 IBM 担任研究员。早年任职 IBM，研究金属
氧化物半导体场效电晶体 (MOSFET) 设计和电路应用，1960 年代内存需求日渐提升，
主流磁芯随机存取内存却面临密度、成本、性能极限。
Robert Dennard 从事金属氧化物半导体（MOS）内存开发，但速度过慢、消耗过大芯片
面积，偶然下 Robert Dennard 脑中浮现灵感，觉得可用单电晶体电容器带电正负记录数
据，反复充电达成数据动态更新，测试成功后就是日后 DRAM 内存的基础。
Robert Dennard 和 IBM 于 1968 年获得了 DRAM 专利，该技术在 1970 年投入商用后，
以其低成本、低功耗、结构简单的优势使磁芯随机存取内存迅速退出市场，并推动了资
讯电信技术的快速进步。另外，DRAM 内存还与第一批低成本微处理器一同加速了电脑
的小型化，以 Apple II 为代表的早期个人电脑得以在商业上获得成功，也为现在的行动
设备打开了市场。
Robert Dennard 还提出著名的登纳德缩放定律，电晶体越来越小，功率密度将保持不变
，因此功率消耗与面积成反比，电压和电流与长度成反比。这条规律统治半导体业界 30
多年，与摩尔定律、阿姆达尔定律并称半导体产业三大定律。
(首图来源：IBM)
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