1.媒体来源:
中时
2.记者署名:
贺培晏
3.完整新闻标题:
台湾科研重大突破！首创二维铁电材料 开启超薄内存新时代
4.完整新闻内文:
国家同步辐射研究中心、成功大学与淡江大学所组成的研究团队，于4月16日在国际顶尖
期刊《先进材料》发表重要研究成果。该团队首度在石墨烯上成功堆叠出“具有铁电性的
超薄六方氮化硼（h-BN）薄膜”，并证实其能稳定地切换电极极性，将为超小型、高效率
电子元件的发展开启全新可能，也为台湾在全球高度竞争的二维材料领域写下崭新的里程
碑。
国辐中心说明，所谓“铁电性”，就像材料内部具有一个可自由切换的电极性开关，能精
确控制电流流向，尤其适合用于内存、传感器及低功耗运算装置，然而，传统的铁电材
料通常具有较大的厚度，难以进一步微型化，此次研究团队突破性地将铁电性实现于仅原
子层级厚度的二维材料h-BN（又称“白色石墨”），这种材料具备与石墨烯相似的超薄结
构和高稳定性，却因其天然对称的晶体结构而难以自发产生铁电性。
成大教授吴忠霖团队采用“电浆辅助分子束磊晶技术（MBE）”，在碳化硅芯片上先成长
高品质单晶石墨烯，再于其上逐层精准堆叠h-BN，并借由在接口自然形成的摩尔纹（Moir
é Pattern），诱导出具非对称且可透过电场切换堆叠的极化结构，这项技术不仅突破了
长久以来的技术瓶颈，更实现了晶圆级尺寸的扩充性与高度的稳定性。
国辐中心研究员郑澄懋表示，团队运用国辐中心的台湾光源（Taiwan Light Source, TLS
）进行角解析光电子能谱（ARPES）量测，清楚观测到不同层数h-BN与石墨烯异质结构中
的能带变化，而淡江大学教授薛宏中团队的理论计算则进一步验证了非对称铁电堆叠结构
的存在与特征。
成大教授陈宜君更进一步证实，此次开发出的超薄h-BN薄膜不仅能稳定控制极性，在极简
的元件架构下，亦能展现清晰的铁电记忆特性，可望应用于超高速、低功耗的复杂矩阵－
向量运算，成为次世代内存及AI芯片的重要基础。此外，由于h-BN与石墨烯、二硫化钼
（MoS2）等其他二维材料具高度结构相容性，未来可透过堆叠式异质结构芯片的设计，推
动台湾半导体及光电产业的重大技术革新。
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6.备注:
台湾的两兆双星 其中的一颗星 又又又要复活了吗???