因排挤效应导致资金不足完成国内项目
对地方是大事
但对整个大局只能算癣疥之疾
这一波赴美投资
送的可是原本宣布
国内要在今年量产的2奈米制程
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N2制程
台积公司2奈米（N2）技术开发依照计划进行并且有良好的进展。N2技术采用第一代奈米
片（Nanosheet）电晶体技术，提供全制程节点的效能及功耗进步，预计于民国一百一十
四年开始量产。
主要客户已完成2奈米硅智财设计，并开始进行验证。台积公司并发展低阻值重置导线层
、超高效能金属层间电容以持续进行2奈米制程技术效能提升。
台积公司N2技术于民国一百一十四年开始量产时，将成为业界在密度和能源效率上最为先
进的半导体技术。台积公司N2技术采用领先的奈米片电晶体结构，其效能及功耗效率皆提
升一个世代，以满足节能运算日益增加的需求。N2及其衍生技术将因我们持续强化的策略
，进一步扩大台积公司的技术领先优势。
还免费加赠
A16制程
台积公司A16™是我们下一代的奈米片（Nanosheet）电晶体技术，并采用超级电轨技术（
Super Power Rail，SPR）。台积公司的SPR是具有独创性、领先业界的背面供电解决方案
。SPR将供电线路移到晶圆背面，以在晶圆正面释放出更多讯号线路布局空间，来提升逻
辑密度和效能。SPR也能大幅度降低IR drop，进而提升供电效率。更重要的是，我们独特
的backside contact技术能够维持与传统正面供电下相同的 闸极密度（Gate Density）
、布局版框尺寸（Layout Footprint）和元件宽度调节的弹性，因此可以提供最佳的密度
和速度上的优势，这也是业界首创的技术。
A16特别适用于具有复噪声号线路和高密度供电线路的高效能运算（HPC）产品。相对于N2
P，A16在相同电压下可得到8%~10%速度提升，或在相同速度下减少15%~20%的功耗，并提
升1.07~1.10X的芯片密度（Chip Density） 。
A16预计在民国一百一十五年下半年量产。
这样还不够
还要再加上先进封装与高阶研发
与2015年马政府通过张忠谋规划的8寸与12寸赴中扩产计画对比
台积电这波赴美投资完全就是内外双贼政治压力下的决定
甚至突破过往蔡政府执政八年长期所坚守的国家安全底线
经济部长也只是一句
保证2奈米、1.6奈米明年不会到美国生产
讲得好像后年以后就不关他的事一样
总之赖政府投审会若轻易屈服
此举措祸国之深难以估量
可不只是一两个县市地方经济上的损失而已