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成大晶研中心开幕 台湾半导体材料技术再突破
2.记者署名:
中央社
3.完整新闻标题:
张荣祥
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（中央社记者张荣祥台南26日电）国立成功大学晶体研究中心今天在南科台达大楼开幕，
也是目前国内唯一具备超高温（2300°C以上）大尺寸碳化硅（SiC）晶体生长技术的学术
机构，将让台湾半导体材料技术再突破。
在教育部主任秘书林柏樵、国科会自然科学及永续研究发展处长赖明治等人见证下，成大
晶体研究中心今天开幕，同时展示最新SiC与氧化镓晶体技术，未来将携手全球产业伙伴
加速技术转移，推动SiC与氧化镓材料在半导体、光学、雷射及医疗领域应用，提升台湾竞
争力。
成大指出，晶研中心已突破高温SiC晶体生长技术瓶颈，可生长大尺寸、高纯度SiC晶体，
为台湾半导体与功率元件产业提供关键材料，将大幅提升电动车、5G通讯、高效能电源管
理等应用效能，协助台湾产业抢占全球市场先机。
此外，晶研中心也在氧化镓领域取得重大进展，氧化镓因拥有超宽能隙特性，被视为下一
代高功率电子元件重要材料；透过特殊设计熔融法生长技术，团队已成功制备出高品质氧
化镓晶体，加速商业化应用，助攻台湾关键产业升级。
成大表示，晶研中心积极拓展国际布局，已在立陶宛和拉脱维亚设立研究据点，携手当地
团队开发高功率薄片雷射系统（TDL），并取得重要技术成果，有望应用于先进雷射医疗
、精密加工及光通讯等领域，进一步巩固台湾在国际晶体技术市场竞争优势。（编辑：李
淑华）1140226
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