独特方式突破美管制 彭博：中国长鑫内存技术取得进展
https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4936793
自由时报
〔编译魏国金／台北报导〕彭博报导，尽管美国以出口管制来抑制中国科技实力，但中国
内存巨头长鑫存储仍取得芯片制造技术的进展。
加拿大研究公司TechInsights披露，在中国内存设备制造商光威科技（Gloway）提供的
内存模组中发现的长鑫DDR5 DRAM，其所需的先进制造技术是在中国市场上前所未见的
。
TechInsights一名代表说，“这意谓他们已找到独特的方法，能以商业规模设计与制造该
芯片；TechInsights之前预期要到2025年末或2026年初才能看到此内存”。
这项发现突显，中国企业在面对美国广泛的出口管制时，仍能发展其芯片制造韧性。相关
出口管制禁止美国企业未经华府批准，向中国客户提供制造18奈米以下DRAM芯片的技术或
设备。长鑫最新芯片为16奈米。
2020年上市的DDR5目前是业界龙头SK海力士与三星电子的主力DRAM产品，可用于生产辉达
人工智能（AI）加速器所需的高频宽内存芯片（HBM）。
TechInsights认为，长鑫最新的技术仍落后韩国这两大厂，以及美国美光科技约3年。
TechInsights的研究也发现，中国长江存储与业界巨头抗衡的能力有所提升。