外媒曝 长鑫内存大进展：前所未见
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中时新闻网 邱怡萱
大陆AI新创公司DeepSeek宣称以低成本开发出的先进AI模型，引发外界质疑美国以出口管制
来抑制大陆科技无效，除了DeepSeek，根据美国财经媒体报导，大陆内存巨头长鑫存储也
成功取得芯片制造技术进展。
报导引述加拿大研究公司TechInsights报告指出，大陆内存设备制造商光威科技（Gloway
）提供的内存模组中，发现到长鑫DDR5 DRAM，其所需的先进制造技术，在大陆市场前所
未见。
TechInsights原预期要到2025年末或2026年初才能看到此内存。TechInsights一名代表说
，这意谓长鑫存储已找到独特的方法，以商业规模设计与制造出该芯片。
美国相关出口管制禁止美国企业未经批准，向大陆客户提供制造18奈米以下DRAM芯片的技术
或设备。报导认为，这也突显大陆企业在面对美国广泛的出口管制时，仍发展其芯片制造韧
性。
DDR5在2020年上市，目前是业界龙头SK海力士与三星电子的主力DRAM产品，其可用于生产辉
达人工智能加速器所需高频宽内存芯片（HBM）。
TechInsights分析，长鑫最新的技术落后韩国这两大厂，及美厂美光科技约3年，但长江存
储与业界巨头抗衡的能力已有所提升。