1.媒体来源:
联合新闻网
2.记者署名:
联合报／ 记者林宸谊／即时报导
3.完整新闻标题:
大陆制DUV生产65奈米芯片硬扯8奈米 遭中外媒体打脸
4.完整新闻内文:
大陆工信部9月初公布的“首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）”的
通知中，列出全新自制DUV曝光机，分辨率为5nm，套刻精度nm，让许多大陆民众乐
翻，高喊大陆突破美国封锁，“可生产8奈米芯片”。
没想到却惨遭中外媒体打脸，认为此款新的DUV曝光机仅能生产65奈米或以下芯片，有人
看到“套刻8nm”就认为这是8奈米曝光机，令人啼笑皆非。
大陆科技媒体“芯智讯”报导，根据大陆工信部公布的资料显示，“积体电路生产装备”
项目列出氟化氪曝光机和氟化氩曝光机，氟化氪曝光机就是老式的248奈米光源的KrF曝光
机，分辨率为10nm，套刻精度5nm；氟化氩曝光机则是193奈米光源的ArF曝光机（
DUV曝光机），但揭露的这款仍是乾式DUV曝光机，而非更先进的浸没式DUV曝光机（也称
为ArFi曝光机）。
从工信部揭露的参数来看，此DUV曝光机分辨率为5nm，套刻精度nm。虽然相比之前
上微的SSA600曝光机有所提升（分辨率为90nm），仍并未达到可以生产28奈米芯片的程度
，更达不到制造什么8奈米、7奈米芯片的程度，许多网友直接把套刻精度跟曝光制程节点
水平搞混。
报导指出，65nm的分辨率，代表能够达到的制程节点大概就是“65奈米”左右。有人一看
到“套刻8nm”就认为是8奈米曝光机，令人啼笑皆非。
套刻精度则指的是每一层曝光层之间的对准精度。众所周知，芯片的制造过程，是将很多
层的曝光图案一层一层的实现，并堆叠而成。一层图案曝光完成后，需要再在上面继续进
行下一层图案的曝光，而两层之间需要精准对准，这个对准的精度就是套刻精度，并不是
指能够制造的芯片的工艺制程节点。
科技媒体“WccfTech”则认为，大陆新公布国产DUV曝光机至少落后美国15年，因为荷兰
半导体设备巨擘 ASML 的客户，至少在 2009 年就可以透过ArF 曝光机生产芯片。
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