鸿海研究院与阳明交大突破氧化镓技术 拼第四代半导体
联合报
钟张涵
全球最大科技制造与服务商鸿海科技集团旗下鸿海研究院，宣布前瞻技术研发再度传出捷
报。
鸿海研究院半导体所所长暨国立阳明交通大学讲座教授郭浩中及半导体所研究团队，携手
阳明交大电子所洪瑞华教授团队，在第四代化合物半导体的关键技术上取得突破。研究成
果提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3)在高压、高温应用领域的高压耐受性能，并已发表
于国际顶级材料科学期刊Materials Today Advances （MATER TODAY ADV）。
鸿海指出，本次研究 Heteroepitaxially Grown Homojunction Gallium Oxide PN
Diodes Using Ion Implantation Technologies，导入离子注入技术于异质磊晶生长的同
质结氧化镓PN二极管元件中，结果展示出优异的电性表现。氧化镓 (Gallium Oxide,
Ga2O3) 在高压及高温应用领域的强大潜力，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。
鸿海指出，这一杰出的研究成果，已发表于高影响力指数 (impact paper) 的国际顶级材
料科学期刊“Materials Today Advances”。Materials Today Advances 在 2023 年的
影响力指数达到 10.25，并在材料科学领域的 SJR (Scimago Journal & Country Rank)
中排名前25%，该期刊已成为促进全球科学家和工程师之间知识传播与学术交流的重要平
台。
鸿海指出，氧化镓元件将有望成为具有竞争力的电力电子元件，能直接与碳化硅元件竞争
。
目前，中国、日本和美国在氧化镓研究领域处于领先地位。日本已实现 4 英寸和 6 英寸
氧化镓晶圆的产业化，而中国多家科研机构和企业也在积极推进相关研究与产品开发。
鸿海表示，鸿海研究院此次的技术突破，将为台湾在全球化合物半导体产业中的领先地位
增添优势，也为未来的高压半导体应用开创新的可能，也再次证明了鸿海在技术创新和产
业发展上的卓越能力。
展望未来，随着氧化镓技术的进一步发展，可以期待其在更多高压、高温和高频领域中有
更广泛应用。鸿海研究院将继续致力于此领域的研究，为全球技术创新和产业进步做出更
大的贡献。
https://udn.com/news/story/7240/8183427