1.媒体来源:
联合
2.记者署名:
简国帆
3.完整新闻标题:
韩媒：iPhone 15 Pro过热恐是台积电3奈米制程造成 三星有机可乘
4.完整新闻内文:
韩国媒体引述产业人士与外国媒体25日的报导指出，苹果iPhone 15 Pro高阶新机已陷入
行动芯片A17 Pro过热的争议，而这款芯片是台积电以3奈米制程生产。报导认为，在台积
电3奈米制程忧虑与建厂进度延误之际，三星电子或许有可乘之机。
BusinessKorea报导，一名中国大陆用户声称，在用iPhone 15 Pro玩硬件需求高的游戏后
，这支手机的温度在30分钟内飙升到摄氏48度。这类半导体芯片过热通常暗示设计瑕疵、
或是制程出现未能避免电力外泄等问题。
报导指出，一些韩国产业人士审慎认为，台积电的3奈米制程可能有点问题。这项揣测的
背后因素之一，为传统的鳍式场效电晶体（FinFET）制程已触及微型化限制。这项2011年
推出的技术，已在FinFET技术大师台积电的领导下，稳定缩减到4奈米制程。
然而，随着芯片尺寸接近3奈米以下领域，运用FinFET方法的电流控制挑战升高。更大的
忧虑在于，若台积电的第一代3奈米产品出现瑕疵，根据相同技术的后续制程也可能遭遇
问题。台积电已宣布好几项后续的3奈米制程，包括第二代的N3E。
先前，三星电子的5奈米制程便面临挑战，也在后续的5奈米与类似的4奈米制程遭遇挫败
，Galaxy S22手机搭载的芯片出现过热问题，之后高通等大客户都转单给台积电，因此台
积电和三星电子上季的市占率差距扩大到超过50.3个百分点。
力图重新振作的三星电子，已宣布3奈米制程转向环绕闸极电晶体（GAA）架构，因GAA架
构的控制接口增强，能够更细致控制电流、减少能耗，并提高性能效益约10%。
Hi投资与证券公司指出，三星电子的3奈米制程良率推估已超过60%。相较下，台积电的3
奈米制程良率约为55%。
BusinessKorea指出，有人认为，若台积电3奈米制程的忧虑持续，大客户可能同时采用、
或转向三星电子的技术。台积电已坦承FinFET技术的极限，2奈米制程将转向GAA架构，但
转型可能延后，因为台积电原本计划2024年前生产2奈米制程产品原型、2025年量产2奈米
半导体，台湾的2奈米工厂建厂正遭延误。
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6.备注:
苹果的设计一定没问题
所以这次一定是GG的锅!
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