Re: [爆卦] 中国清大EUV大突破??!!

楼主: analiya (莉雅)   2023-09-16 14:11:00
自媒体夸大了,但也不是完全没有那麽回事。
分享下。
1、中国的光刻机研制,现在是duv、euv同时在弄。duv肯定是传统路线,应该差不多了。而
euv是不同的3、4种技术路线在同时弄,每条路线都有不同的科研院所负责。
中科院长春光研所负责asml的那种euv。
2、光学、精细化工之类的,其实中国自身并不差。主要以前没有不计成本也要弄出来的动
机,弄出来了也没人会用。但现在因为美国制裁,中国的半导体产业的市场完全被美国主动
让出来了,那造出来自然就有意义,能够迭代。
现在看,光源、光刻胶之类的都已经有中国企业弄出来了,还在最后的总装过程中。
3、至于这个清华的版本,是脑洞最大的一个,现在已经进行实际预研建设了。
简单说就是放弃小型化、集约化,从而换取技术上难度的下降。
asml的光刻机,在一个集装箱中,有光源、有各种光学镜片、有各种防气体污染的管路。之
所以这个技术路线,一是因为asml的技术路径依赖,二是因为光刻机是商品,必须满足远洋
运输、后期调试的需求。
清华的版本,是儅基础设施弄,光源不在内置,而是如发电厂集中供电、中央锅炉集中供热
水一样,用同步辐射光源做发光厰集中供应光。
因为同步辐射光源的特性,功率可以做到asml的euv的几十倍,而且是广谱光。通过电磁场
的不断偏转,不同波长的光会从不同的接口被筛选出来,也就是理论上从1nm到100nm的光源
同时供应。
根据功率、光源波长等,一个光源厰能同时供应几十个光刻厰,效率和电能利用率会很高,
哪怕单个厰的良率没那麽高,成本也能平摊下来。
另外因为没有空间限制,可以省掉各种复杂的光路和精度极高的镜片组,直接来上千W的8nm
波长。
EUV的三大难点:光源、物镜和工作台,直接跳过前俩,只要保证双工作台的精度就行。
以前其实就有这种路线,但因为占地大、成本高、同时用电大三个问题,并不是asml这种企
业的选择项。
但对于中国,这些缺点并不是问题,只要能造出来就可以。
占地大,中国就是地多,也不需要儅商品运输,而且辐射光源有其他用处,可以一鱼多吃。
成本高,对于现在一台几台几亿美金来说,其实也不高了,而且可以同时大量起光刻厰,
中国占半导体产业50%的需求量,只要能造出来就有市场。
用电大,中国自己发电就占全世界的30%,而且内蒙、贵州这些地方电多到用不出去。综合
去算几十个光刻厰同时运作,其实能耗和asml的光刻机差不多了。
只不过,现在是理论上很完美,也是中国诸多技术中的一种。但实际工程化却不一定能很快
弄出来。现在最快的的还是传统路线。
但asml总裁之前说中国有很多聪明人,能想出不一样的路线,也是意有所指。

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