联合
加严半导体空污管制标准 违者最高可罚2000万
联合报／ 记者 胡瑞玲／台北即时报导
环保署今修正发布“半导体制造业空气污染管制及排放标准”，增订新设制程排放标准、
改变全厂总排放量管制为个别排放管道浓度管制、强化自主监测及简化定期检测、修正目
前管制上遭遇的问题，预估约有28家业者受影响，未来若未能符合标准，依空污法可处10
万至2000万罚锾。
环保署空保处说明，本标准自1999年1月6日发布实施后，迄今已10余年未检讨修正，经通
盘检讨历年执行实绩及面临的问题后，修正标准以提高目前半导体产业空污防治及管理机
制。
空保处表示，原标准为不分规模以全厂挥发性有机物（VOCs）总排放量不得超过每小时
0.6公斤，本次修正后加严标准，改以个别排放管道VOCs浓度须小于14 ppm、酸气（硝酸
、盐酸、磷酸、氢氟酸及硫酸）浓度小于0.5 ppm。
另增订新设制程VOCs浓度不得大于10 ppm、酸气浓度不大于0.3 ppm的排放标准，督促新
建厂房或新设制程，应选择环境友善或防制效能较佳设备；空保处预估，修正标准后，可
减少286公吨VOCs及12公吨酸性气体排放量，相当于一座炼油厂4个月的排放量。
空保处指出，目前列管业者总计213家，其中28家恐因标准加严而受影响，主要以中、小
型业者为主，但会给2年缓冲期改善，未来若仍未能符合标准，可处10万至2000万罚锾；
而较大型的业者如台积电，因自身订定的排放标准较本标准高，基本上不受影响。
另本标准需配合“公私场所应定期检测及申报之固定污染源”，简化整合空污法涉检测相
关规定，同时针对排放浓度高且易致屋染之虞者，应设置相关排放监测仪器以强化自主管
理，有效减少污染物泄漏排放。
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