极紫外光微影、超紫外线平版印刷术
https://en.wikipedia.org/wiki/Extreme_ultraviolet_lithography
https://i.imgur.com/vYt5R4I.png
（英语：Extreme ultraviolet lithography，亦称 EUV 或 EUVL）
是一种使用极紫外光（EUV）波长的下一代微影技术，
目前使用 7 奈米，2020 年开始广泛应用。
透过高能量、波长短的光源，将光罩上的电路图案转印到晶圆的光阻剂涂层。
EUV 光源波长比目前 DUV（深紫外线微影）的光源波长短，约为 15 分之 1，
因此能使用于线距更小光罩上的电路图案的曝光上。
然而 EUV 光罩与传统的光罩截然不同，当采用 13.5nm 波长的极紫外光微影技术时，
所有的光罩材料都是不透光的，
因此具复合多涂层反射镜的光罩可将光罩上的电路图案反射到晶圆上。
这种多层膜 EUV 光罩一方面可维持光罩的反射率，
但另一方面会影响临界线宽、轮廓、刻线边缘粗糙度、选择性和缺陷控制方面，
而造成独特的蚀刻效果。
有没有 EUV 极紫外光微影制程的八卦？