这真正的问题就是国内从来没有认真研发DRAM
都是跟别人买技术
照理说你跟别人买也会知道别人怎么做
别人会把设计图给你
你只要做出修改
就会变成自己的东西申请专利
美国也拿你没辄
因为DRAM的技术其实教科书上都有
但是具体怎么做的 与教科书上还是有差距
可是大家知道吗
照理说已经有别人的设计图
只要稍稍修改就可以变成自己的
申请专利
可是历史经验告诉我们
我自行修改后的DRAM他的记忆储存能力都有问题
就是芯片的动作都是错的
就是失败了
为什么
因为我们的厂商没有认真研究
所以到最后只能窃取别人的
如果你的电路跟别人长的不一样
美国就没法说你是窃取别人技术
是因为你的电路都跟别人长的一样
这怎么行
为什么台积电自己只专心做晶圆代工
没有电路设计的公司
就是要让客户安心我不会窃取你的电路成果
联电就是除了代工还有一大堆电路设计公司
客户会考虑风险
※ 引述《sunbysea (忠言逆耳良药苦口)》之铭言：
: http://www.epochtimes.com/b5/18/11/1/n10824695.htm
: 1.媒体来源:
: 大纪元
: 2.完整新闻标题:
: 窃美光商业机密 美国起诉福建晋华和联电
: 3.完整新闻内文:
: 福建晋华和台湾联电11月1日被美国司法部以共谋经济间谍、接收被盗商业机密
: 以及共谋窃取商业机密三项罪名起诉。图为美国司法部大楼。(Samira Bouaou/
: The Epoch Times)
: 人气: 2320 【字号】 大 中 小
: 更新: 2018-11-02 8:56 AM
: 标签: 经济间谍, 窃取商业机密, 福建晋华, 美光, 联电
: 【大纪元2018年11月02日讯】（大纪元记者林燕编译报导）美国司法部周四（1
: 1月1日）正式起诉中国福建晋华集成电路（简称福建晋华）公司以及台湾的联
: 华电子公司（简称联电），指控他们共谋从美国半导体巨头美光科技公司（Mic
: ron）窃取商业机密。
: 根据加州圣荷西市（San Jose）联邦法院公布的起诉书，美国政府对晋华和联
: 电同时提出刑事和民事控诉，并寻求阻止这两家公司将使用有争议的商业机密
: 制造的产品输往美国。刑事起诉书在2018年9月27日提交，11月1日公布；民事
: 诉讼于11月1日提交。
: 晋华和联电均被控三项罪名，分别是共谋经济间谍罪、接收被盗商业机密罪（
: 属于经济间谍罪名的一种）以及共谋窃取商业机密罪。
: 依照美国法律，被起诉并不等于有罪。如果共谋经济间谍罪以及接收被盗商业
: 机密罪成立，可能面临最高1千万美元的罚款或三倍于被盗商业机密价值的罚款
: ；如果共谋窃取商业机密罪成立，可能面临最高500万美元的罚款或三倍于被盗
: 商业机密价值的罚款。同时，两家企业还面临被没收资产的惩罚。
: 除了这两家公司，还有三名台湾个人也一并遭受指控。起诉书说，涉案3名台湾
: 男子是陈正坤、何建庭和王永铭，他们曾是美光在台湾子公司的高管，但在加
: 入联电前后窃走美光的技术，目的是要转移给仅成立两年的福建晋华公司。
: 美国司法部长塞申斯（Jeff Sessions）表示，受害企业美光的市值1,000亿美
: 元，拥有全球市场动态随机存取存储器（DRAM）20%-25%的份额，这项技术是中
: 国直到最近才拥有的。
: 他说，中共国家支持的计划不断窃取美国的工商业机密，这只是最新一宗案件
: ；和近期其它案件一样，它们显示，中国（中共）决心一路偷窃机密、促进经
: 济发展，而美国则成为苦主。
: “这种行径不合法，是错的，而且对我们的国家安全构成威胁，必须要停止，
: ”塞申斯说。“这已经够多了，司法部将对这类违法行为提起诉讼。”
: 起诉书指，在中国并未拥有DRAM技术的情况下，中共政府和国务院已公开将DRA
: M和其它微电子技术发展确定为国家经济优先事项。在这种激励下，中国看准台
: 湾为美国科技公司代工，便转向台湾联电获取DRAM技术。
: 根据起诉书，福建晋华与台湾联电共同窃取美光的商业祕密，包括动态随机存
: 取存储器（DRAM）。美光是唯一一家生产DRAM的美国公司，并在这一领域保持
: 著显著竞争优势，这在很大程度上归功于其专有知识产权，包括其顶尖DRAM产
: 品的设计、开发和制造的详细机密信息。
: 路透社报导，美国正扩大反制中国对美国企业的间谍活动，这是司法部9月以来
: 提出的第4个案件。塞申斯强调，中国的间谍活动快速增长，美国政府将采取新
: 的主动行动反制。
: 美国联邦调查局（FBI）局长雷（Christopher Wray）也发布声明说：“中国（
: 中共）对我们的创意、创新和经济安全构成广泛而严重的威胁，没有其它国家
: 比得上。”
: 对台湾三名被告的起诉
: 被告人之一陈正坤原是台湾美光内存（Micron Memory Taiwan，MMT）的高级
: 主管，负责制造至少一种美光的DRAM芯片，而MMT是美光2013年在台收购的一家
: 子公司。陈于2015年7月从MMT跳槽到联电，而当时联电并无DRAM技术，但陈一
: 直有意到中国大陆发展，于是与对方一一拍即合。
: 在联华电子工作期间，陈正坤安排联电和福建晋华达成合作协议，福建晋华提
: 供资金资助，联电负责把DRAM技术转让给福建晋华、并进行批量生产。这项技
: 术将由联电和福建晋华共享，陈于2017年2月兼任福建晋华的总经理，负责DRAM
: 生产设施。
: 在这段时间中，陈正坤从美光的台湾子公司挖走数名员工，其中包括两名高管
: 何建庭和王永铭，并随后在短时间内攻克DRAM相关技术。
: 被告人之一何建庭曾是美光在台子公司的整合部课长，2015年底跳槽联电，在
: 离任前偷窃美光机密文件和档案，并转交给联电。另一位被告人王永铭则是美
: 光在台子公司的品质工程部副经理，在2016年4月离职去了联电。
: 何、王两人一直保持着密切的私人联系，在王离职前，他滥用职权、读取美光
: 属于机密的DRAM制造方法和技术，档案多达900个，有些文件就存放在Google文
: 档中，即便在跳槽到联电工作后他们仍上去查阅。但王对美光在台子公司申请
: 的离职理由却是要打理家庭生意。
: 有了这两人的加盟后，联电与福建晋华于2016年9月-2017年3月期间提交了5项
: 专利，以及1项与DRAM相关的专利申请，后者含有的信息与美光商业机密相同或
: 极度近似。而何是这5项专利以及1项专利申请的发明人。
: 值得一提的是，根据起诉书，台湾执法部门2017年2月，在持有搜查令的情况下
: ，进入何建庭以及王永铭在联电的办公室以及住处，发现含有美光商业机密的
: 电子以及文本文档。
: 但戏剧性的是2018年1月，福建晋华和联电在中共福建法院控告美光旗下的美光
: 半导体销售（上海）与美光半导体（西安）侵权；7月，福州市中级法院不顾台
: 湾、美国诉讼正在进行，便做出美光子公司侵犯联电专利权的初裁，要求美光
: 立即停止在华销售多项动态随机存取内存（DRAM）与储存型快闪存储器（NAN
: D Flash）产品。
: 为保护美光以及惩罚这两家企业窃取美知识产权，美国商务部10月29日将福建
: 晋华列入出口管制“实体清单”，禁止其购买美国的机器和材料以增加工厂生
: 产DRAM的能力。这意味美国业者必须取得特别许可，才能出口供福建晋华使用
: 的产品。
: 上述三名被告均被控三项罪名，分别是共谋经济间谍罪、接收被盗商业机密罪
: 以及共谋窃取商业机密罪。
: 依照美国法律，被起诉并不等于有罪。若共谋经济间谍罪和共谋窃取商业机密
: 罪成立，个人最高可判处15年监禁和500万美元或两倍于被盗商业机密价值的罚
: 款；若窃取商业机密罪成立，最高可被判处10年监禁以及25万美元或两倍于被
: 盗商业机密价值的罚款。＃
: 责任编辑：叶紫微
: 4.完整新闻连结 (或短网址):
: http://www.epochtimes.com/b5/18/11/1/n10824695.htm
: 5.备注: