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中国拼内存 苦吞败
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中国拼内存 苦吞败
合肥睿力DRAM良率挂零 长江存储NAND遇瓶颈
2017年10月02日
中国发展内存不如预期，业者内部技术开发纷纷传出失败。图为DRAM。资料照片
政府扶植
【杨喻斐╱台北报导】继面板产业之后，DRAM也在中国政府积极扶植之下，全力发展自主
内存，并大举向台湾同业挖角，其中，最为低调的合肥睿力的第1期厂房即将于11月完
工，但市场传出，合肥睿力内部实验室生产的DRAM良率挂零，恐影响后续试产；另外，也
传出主攻3D NAND Flash的长江存储在32、64堆叠技术也无法突破瓶颈而失败。
中国发展DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机存取内存）在缺乏技术授权
之下，自主开发之路坎坷；据了解，相关厂商投入技术开发的良率不如预期，内部实验室
的测试都宣告惨败。
福建晋华与联电合作
福建晋华则拥有联电（2303）的DRAM技术合作，但碍于现在有美光诉讼案的干扰，进度稍
微落后，不过联电高层跳出来澄清强调，尊重智慧财产权，不会偷技术，将于明年第4季
完成第1阶段技术开发。
以华邦电（2344）为例，董事长焦佑钧曾说，自主开发DRAM技术超过3年的时间，2016年
终于成功开发出3X奈米，也是国内首家拥有自主开发奈米技术制程的内存厂商，明年将
进一步往2X奈米迈进。
业界人士透露，要做DRAM，不是只有厂房、机器设备以及挖人就好了，技术是最重要的关
键，技术开发成功后，还要获得客户的认证通过。中国发展DRAM不是想像中这么容易，以
未来2~3年的时间来看，中国发展内存所带来的威胁性将大为降低。
微驱科技总经理吴金荣指出，合肥睿力以DRAM为主力产品，预计今年底移入机台，力拼
2018年2月产出第1批产品，月产能为12.5万片，传出睿力将直接切入19奈米制程，这是十
分大胆的尝试，对来自五湖四海的各路好汉组成的新公司，贸然投入先进制程生产，成功
率恐怕不高。
中国业者威胁性降低
在NAND Flash（储存型快闪存储器）的部分，以紫光集团旗下的长江存储最为积极，纳入
的武汉新芯第1期厂房日前已完工，预计将于2018年投入使用。不过，据业界人士指出，
长江存储内部研发良率不理想，仍有技术瓶颈无法突破，量产可能无法如预期快。
拓墣研究中心经理林建宏表示，晶圆厂兴建完成后投片量产，包括技术、良率都是量产的
关键，但最重要的还是要有客户的订单。全球内存产业还不会受到中国的威胁，而且以
DRAM来说，除了制造技术难度高之外，目前市场已呈现寡占局面，既有业者扩产小心翼翼
，业者维持获利、价格持稳的好光景还可以将延续下去。
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