1.媒体来源:
中国时报
2.完整新闻标题:
美光内鬼携密跳槽 联电3主管遭诉
3.完整新闻内文:
内存大厂美商美光科技爆发内鬼案。原瑞晶公司王姓及何姓高阶主管，在美商美光科技
购并瑞晶更名台湾美光后，涉嫌先后携带晶圆制程等相关机密档案，跳槽联华电子，王经
联电戎姓协理指示，还将相关资料运用于联电的F32 DRAM设计规则。台中地检署依妨害营
业祕密法将联电及何等3人起诉。
起诉书指出，41岁何男及42岁王男原为瑞晶员工，美国美光公司在2013年间收购瑞晶更名
台湾美光后；台湾美光对于制造DRAM晶圆的方法、技术、制程及设计等资讯，保存在具有
加密及管制存取功能的电脑服务器。员工登入存取需输入帐号及密码，且自2016年4月间
起，不得使用USB PORT进行存取。
联电与大陆晋华公司去年1月协议进行32奈米DRAM及32S奈米DRAM相关制程技术开发，完成
后将移转至晋华公司，联电未执行合作案因而在南科成立“新事业发展中心”。
2015年11月间，在美光担任量产整合部课长的何男转至联电任职；去年4月，担任“新事
业发展中心”专案技术二处制程整合部门经理。
另在美光任品质工程部副理的王男，去年初透过何投履历给联电，去年3月底收到录取通
知。台湾美光在王离职后，清查内部资料，发现他离职前曾登入公司电脑服务器，大量重
制营业祕密档案，向检调单位告发。检调在今年2月传讯何及王男，搜索联电及戎姓协理
住处，查扣笔记本、手机、电脑、硬盘及合约等证物。
检方查出，何在美光任职时，2014年2月曾签立“保密及智慧财产合约”，约定离职时要
将所有营业祕密文件返还公司及销毁副本；但何跳槽时，却将相关资料带往联电。
另联电戎姓副理曾要求王男参考台湾美光DR25 nmS设计规则，与联电F32 DRAM设计规则交
互比对，标示美光稳定数值及参数等，使联电加速设计规则内容，得以降低成本；王也因
表现得力，今年1月间晋升为Device经理。
王、何2人均辩称相关持有资料都是供个人研究用，戎则供称只要求王男提供设计规则意
见，检方均不采信，并认定联电并未积极采取防止员工侵害他人营业祕密，将联电及王、
何及戎男3人一并起诉。
(中国时报)
4.完整新闻连结 (或短网址):
https://goo.gl/r7ecmh
5.备注: