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台积7奈米晶圆量产 加速度
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2017-05-18 02:06 经济日报 记者简永祥／台北报导
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台积电
美商应材昨（17）日宣布成功运用钴金属材料取代铜，作为半导体先进制程中进行沉积制
程的关键材料，且获致导电性更佳和功耗更低、让芯片体积更小等重大突破，让摩尔定律
得以延伸推进到7奈米，甚至到5奈米和3奈米，预料将使台积电等晶圆制程厂7奈米量产脚
步加速。
美商应材研发人员昨专程来台宣布这项重要材料创新技术，也意谓应材在半导体先进制程
设备和材料运用，持续扮演领先地位，并透露包括台积电等晶圆制造厂将先进制程推进至
7奈米以下的商业化脚步，更向前迈进一大步。
应材表示，目前各大晶圆制程厂已导入在7奈米制程采用这项新的材料革新，如果成效良
好，不排除可能在7奈米就可以看到导入钴金属取代铜制程技术变革。
应材表示，当半导体金属沉积制程进入7奈米以下的技术节点时，连结芯片中数10亿个电
晶体的导线电路渐渐成为技术瓶颈。一方面要扩增芯片上电晶体的数量，一方面追求系统
整合芯片封装，缩小导线进而增加电晶体密度是必然的趋势。
但应材强调，当导线的截面积减少，导电区域的体积也减少，这会造成电阻增加，阻碍最
佳效能的实现。这种阻容迟滞有赖以创新突破技术瓶颈，包括在阻障层、内衬层微缩制程
，以及运用新的材料，以利在更狭小的空间中改善导电特性。
应材强调，为了解决导线的电阻问题，用新的钴取代传统的铜，并运用多年累积的沉积制
程技术，同时将物理气相沉积、化学气相沉积和原子层三种不同沉积制程技术，整合在同
一设备平台上，运用单一整合程序，制造复杂的薄膜堆叠结构。
应材指出，以钴取代传统铜进行沉积制程的关键材料，已获致传导性更快且功耗更低等优
越性能，同时大幅节省芯片体积，芯片效能更快、体积更大。
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5.备注:
摩尔定律不是已经被突破了吗 能使用新材料作制程当然是好事 但不知道极限到哪里
小鲁比较没概念 话说刚查了一下现在 钴的价值比铜高好几倍
成本也要喷发了吗